发明名称 CMOS基准电压源
摘要 本实用新型公开了一种低温度系数的、适于在CMOS工艺上实现的CMOS基准电压源。包括启动电路,主偏置电流产生电路,基准电压产生电路;启动电路,主偏置电流产生电路,基准电压产生电路的直流电输入端分别连接直流电源Vdd,主偏置电流产生电路的输入端连接启动电路的输出端,主偏置电流产生电路的第一输出端、第二输出端分别对应连接基准电压产生电路的第一输入端和第二输入端,基准电压产生电路的基准电压输出端输出基准电压。本实用新型电路中不包含三极管,只包含NMOS管、PMOS管、电阻、电容四种器件,因此,具有结构简单的优点,在CMOS工艺线上实现方便、有效、兼容性好,不存在放大器失调的问题。
申请公布号 CN200997086Y 申请公布日期 2007.12.26
申请号 CN200620170898.8 申请日期 2006.12.28
申请人 东南大学 发明人 孙伟锋;夏晓娟;徐申;李海松;时龙兴
分类号 G05F3/24(2006.01) 主分类号 G05F3/24(2006.01)
代理机构 南京经纬专利商标代理有限公司 代理人 陆志斌
主权项 1、一种CMOS基准电压源,其特征在于:包括启动电路(1),主偏置电流产生电路(2),基准电压产生电路(3);启动电路(1),主偏置电流产生电路(2),基准电压产生电路(3)的直流电输入端分别连接直流电源Vdd,主偏置电流产生电路(2)的输入端连接启动电路(1)的输出端,主偏置电流产生电路(2)的第一输出端、第二输出端分别对应连接基准电压产生电路(3)的第一输入端和第二输入端,基准电压产生电路(3)的基准电压输出端输出基准电压。
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