半导体衬底处理中所用的反应室气体分配系统及处理反应室中的衬底的方法

摘要

用于处理半导体衬底的气体分配系统，包括：多个气体供给设备；在其中将来自多个气体供给设备的气体混合在一起的混合歧管；将混合气体输送给室中的各个区的多条气体供应线；以及控制阀。气体供应线包括将混合气体输送给室中的第一区的第一气体供应线以及将混合气体输送给室中的第二区的第二气体供应线。控制阀控制第一和/或第二供应线中混合气体的流率以便在第一和第二气体供应线中实现混合气体的流率的想要的比率。在使用该装置的方法中，将半导体衬底提供给反应室以及通过将混合气体提供给第一和第二区来处理衬底，调整控制阀以便在第一和/或第二气体供应线中的混合气体的流率提供第一和第二区中混合气体的流率的想要的比率。

主权项

1、一种用于在半导体衬底处理中所用的反应室的气体分配系统，包括：多个气体供给设备；混合歧管，其中将来自多个气体供给设备的气体混合在一起；多条气体供应线，用于将混合气体输送给该室中的多个不同的区，该气体供应线包括将混合气体输送给室中的第一区的第一气体供应线以及将混合气体输送给室中的第二区的第二气体供应线；至少一个控制阀，用于控制第一和/或第二气体供应线中的混合气体的流率，以便在第一和第二气体供应线中实现混合气体的流率的想要的比率；至少一个流量测量设备，用于测量第一和/或第二气体供应线中混合气体的流率；以及控制器，用于响应由该至少一个流量测量设备所测量的流率来操作该至少一个控制阀。