| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置的制造方法。该半导体装置包括由第一半导体材料制成的半导体基底；由第二半导体材料制成的异质半导体区，第二半导体材料具有与第一半导体材料不同的带隙，并且与半导体基底形成异质结。该异质结的形成是通过将半导体基底与由第二半导体材料制成的衬底接合起来而完成的。 | ||
| 申请公布号 | CN101093797A | 申请公布日期 | 2007.12.26 |
| 申请号 | CN200610082949.6 | 申请日期 | 2006.06.21 |
| 申请人 | 日产自动车株式会社 | 发明人 | 田中秀明;星正胜;下井田良雄;林哲也 |
| 分类号 | H01L21/18(2006.01);H01L21/329(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/18(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇;权鲜枝 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体装置的方法，其中，所述半导体装置包括：由第一半导体材料制成的半导体基底；以及由第二半导体材料制成的异质半导体区，所述第二半导体材料具有与所述第一半导体材料不同的带隙，并且与所述半导体基底形成异质结，所述制造半导体装置的方法的特征在于：通过将所述半导体基底与由所述第二半导体材料制成的衬底接合起来形成所述异质结。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县横浜市神奈川区宝町2番地 | ||