发明名称 存储装置的数据写入、读取方法及数据存储系统
摘要 本发明提供一种存储装置的数据写入、读取方法及数据存储系统,从而提高闪存等半导体存储设备中的存储数据的可靠性。其中,具有n+1个包括m个数据存储区且一并进行数据的写入、读取、删除等的物理存储区域,将从上位主机输入的一连串数据重新排列,从而将该一连串数据分离存储在n个物理存储区域中。将对于分离在各物理存储区域中的一连串的数据1~数据n的纠错数据作为数据p1存储在其他物理存储区域n+1中。同样存储其他的纠错数据p2~pm。从而,例如在物理存储区域2所存储的数据的一部分或全部有异常时,在替代物理存储区域中存储通过纠错还原的物理存储区域2的数据,并全部删除物理存储区域2的数据。
申请公布号 CN100357899C 申请公布日期 2007.12.26
申请号 CN200510007797.9 申请日期 2005.02.17
申请人 日本电气株式会社 发明人 立河孝
分类号 G06F11/08(2006.01);G11C16/06(2006.01) 主分类号 G06F11/08(2006.01)
代理机构 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 代理人 王怡
主权项 1.一种存储装置的数据写入、读取方法,所述存储装置具有存储单元,所述存储单元由分别具有多个数据存储区的多个物理存储区域构成,并以各物理存储区域单位一并执行数据的写入或读取操作,所述存储装置的数据写入、读取方法的特征在于,当向所述存储单元存储数据时,将从上位主机输入的、应按所述物理存储区域单位写入的一连串的数据通过重新排列而分离写入多个所述物理存储区域中,当从所述存储单元读取数据时,将从所述多个物理存储区域的各个物理存储区域分别一并读取的数据通过再次重新排列而还原成所述输入的一连串数据来输出,并且所述存储单元设置有写入了纠错数据的纠错用物理存储区域,其中所述纠错数据用于对分别写入所述多个物理存储区域中的各对应位置上的数据进行纠错,当在存入所述多个物理存储区域的数据中检测出错误时,对所述检测出数据错误的物理存储区域的所有数据进行检查,将正常数据转移写入用于替代的物理存储区域中该正常数据的对应位置,并且将错误数据通过利用所述纠错用物理存储区域的纠错数据纠正后写入所述用于替代的物理存储区域中该错误数据的对应位置,并将所述检测出数据错误的物理存储区域的数据全部删除。
地址 日本东京都