多晶硅的蚀刻方法

摘要

本发明提供了一种多晶硅蚀刻方法，该方法在形成多晶硅层之后，能够完全除去用多晶硅层覆盖的凸起侧壁上遗留的多晶硅残余物，同时又保留了多晶硅层的形成各向异性，并且使下面的绝缘膜免受蚀刻。在将多晶硅层沉积到基片的一个主表面上以便覆盖凸起之后，在凸起之上的多晶硅层上形成抗蚀层。通过利用该抗蚀层作为掩模，来实施等离子蚀刻工艺，从而形成该多晶硅层图形并形成栅电极多晶硅层。在第一步骤，利用HBr和Cl₂蚀刻多晶硅层直到多晶硅间隔残余物出现在凸起侧壁上为止，而在第二步骤，在5.0-10.0m Torr的压力下利用HBr去除多晶硅残留物。

主权项

1、一种多晶硅的蚀刻方法，该方法包括以下步骤：制备半导体基片(10)，在该基片的一个表面上形成绝缘膜(12s)，形成多晶硅层(14S)，然后在所述绝缘膜上形成覆盖所述多晶硅层(14S)的多晶硅层(16)；在所述多晶硅层(16)上形成抗蚀层(18S)，所述抗蚀层具有不覆盖至少一部分所述多晶硅层(14S)的侧壁的预定图形；利用HBr和Cl2的混合气体并以所述抗蚀层(18S)作为掩模，来实施蚀刻所述多晶硅层(16)的第一等离子蚀刻工艺，形成具有与所述抗蚀层(18S)对应图形的层(16S)，和在多晶硅层(14S)的侧壁上的多晶硅残留物，遗留下多晶硅残留物(16e和16f)；利用HBr这一种气体和所述抗蚀层(18S)来实施去除多晶硅残留物的第二等离子蚀刻工艺；以及在去除多晶硅残留物之后实施第三等离子蚀刻工艺的步骤，所述第三等离子蚀刻工艺是利用所述抗蚀层作为掩模并利用Cl2和O2的混合气体或者HBr和O2的混合气体作为蚀刻气体的过蚀刻工艺。