| 发明名称 | 显示装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种显示装置以及制造这种装置的方法，其中微小半导体发光装置被固定于该显示装置的基片的表面并与之有一定间隙，该显示装置成本低并具有足够的亮度。一用环氧树脂第一绝缘层(21)在除其具有引出电极(18)、(19)的上端区域和下端面以外的区域充填的通过选择性生长获得的基于GaN的微小半导体发光装置(11)被固定在基体(31)的上表面上并有一间隙。半导体发光装置(11)与第一绝缘层(21)一起被涂覆以形成一环氧树脂第二绝缘层(34)。一所需的连接孔被钻取以将电极(18)、(19)引至第二绝缘层(34)的上表面。进一步，一连接孔在第二绝缘层(34)中被钻取以将电极(18)引至设置在基体(31)上的连接电极(32)。 | ||
| 申请公布号 | CN100358153C | 申请公布日期 | 2007.12.26 |
| 申请号 | CN02801322.0 | 申请日期 | 2002.02.20 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 大畑丰治;中英晴;柳泽喜行;岩渕寿章 |
| 分类号 | H01L27/15(2006.01);H01L25/075(2006.01);H01L33/00(2006.01);G09F9/33(2006.01) | 主分类号 | H01L27/15(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种显示装置，包括以阵列形式安装在一基体的一平面上的多个半导体发光装置，其特征在于：所述半导体发光装置以被埋在一第一绝缘层中的状态按一定间隔被固定地排列在所述基体的该平面上；一第二绝缘层形成于所述基体的该平面上以覆盖所述半导体发光装置；以及每个所述半导体发光装置的一上端侧电极和一下端侧电极通过形成于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的特定部分中的连接孔被引出。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||