| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是，在使用促进结晶化的催化剂元素于550℃进行4小时加热处理而得到结晶性硅的方法中，精确地控制催化剂元素的引入量。在玻璃衬底(11)上形成的无定形硅膜(12)，进而在该无定形硅膜(12)上形成掩膜(21)，将含有10～200ppm(需调整)镍等催化剂元素的乙酸盐溶液(或其它水溶液)(14)滴下。在该状态下保持一定的时间，用旋转器(15)进行旋转干燥，然后在550℃进行4小时加热处理，得到结晶性硅膜。 | ||
| 申请公布号 | CN100358095C | 申请公布日期 | 2007.12.26 |
| 申请号 | CN200410086184.4 | 申请日期 | 1994.12.02 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 大谷久;安达广树;宫永昭治;高山彻 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/336(2006.01);G02F1/136(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 郭煜;刘玥 |
| 主权项 | 1.半导体装置的制造方法，包括：在衬底上方形成含有无定形硅的膜的工序；在上述含有无定形硅的膜上用光刻胶形成掩膜的工序；将上述含无定形硅的膜的暴露区域氧化，从而形成含氧化硅的膜的工序；在上述含氧化硅的膜上涂敷将含催化剂元素的化合物溶解或分散在极性溶剂中得到的溶液的工序；以及对上述含无定形硅的膜进行加热处理，从而使之结晶化的工序。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||