| 发明名称 | 用于以CIGS建立原位结层的热方法 | ||
| 摘要 | 本发明大体上涉及光电元件的领域，且更具体地说，涉及使用热方法制造薄膜太阳能电池。具体地说，揭示一种用以通过原位结形成工艺来制造CIGS太阳能电池的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101094726A | 申请公布日期 | 2007.12.26 |
| 申请号 | CN200580045415.X | 申请日期 | 2005.11.10 |
| 申请人 | 德斯塔尔科技公司 | 发明人 | 约翰·R·塔特尔 |
| 分类号 | B05B7/14(2006.01) | 主分类号 | B05B7/14(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王允方;刘国伟 |
| 主权项 | 1.一种用于制备光电装置的方法，其包含以下步骤：a.在衬底上提供p型CIGS半导体层；b.在约300℃到约450℃之间的温度范围内将所述p型半导体层暴露于In+Se+Ga蒸汽持续2到4分钟，以产生n型半导体层来形成p-n结。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||