厚栅高压P型金属氧化物半导体管

摘要

本实用新型公开一种兼容性好且能够降低工艺成本的厚栅高压P型金属氧化物半导体管；包括：P型衬底，在P型衬底上设有N型埋层，在N型埋层上设有N型外延层，在N型外延层上设有N型阱和P型漂移区，在N型阱上设有P型源和N型接触孔，在P型漂移区内设有P型漏，在P型源、N型接触孔、N型阱、N型埋层、P型漂移区及P型漏的上方设有氧化层，在P型源及N型接触孔上连接有金属引线，在P型漏上连接有金属引线，在N型阱、P型漂移区、N型外延层与氧化层之间设有场氧化层，该场氧化层自P型源延续至P型漏，在氧化层内设有多晶硅栅且该多晶硅栅位于场氧化层的上方，在多晶硅栅上连接有金属引线。

主权项

1、一种厚栅高压P型金属氧化物半导体管，包括：P型衬底(1)，在P型衬底(1)上设有N型埋层(2)，在N型埋层(2)上设有N型外延层(3)，在N型外延层(3)上设有N型阱(4)和P型漂移区(5)，在N型阱(4)上设有P型源(6)和N型接触孔(8)，在P型漂移区(5)内设有P型漏(7)，在P型源(6)、N型接触孔(8)、N型阱(4)、N型埋层(2)、P型漂移区(5)及P型漏(7)的上方设有氧化层(9)，在P型源(6)及N型接触孔(8)上连接有金属引线(14)，在P型漏(7)上连接有金属引线(12)，其特征在于在N型阱(4)、P型漂移区(5)、N型外延层(3)与氧化层(9)之间设有场氧化层(10)，该场氧化层(10)自P型源(6)延续至P型漏(7)，在氧化层(9)内设有多晶硅栅(11)且该多晶硅栅(11)位于场氧化层(10)的上方，在多晶硅栅(11)上连接有金属引线(13)。