| 发明名称 | 一种多晶锗硅薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开的多晶锗硅薄膜的制备方法，其步骤如下：先将硅衬底清洗干净后放入热氧化炉中，在硅衬底上热氧化一层二氧化硅层，然后放入超高真空化学气相沉积装置中，500～600℃下，通入纯硅源和以氢气为载气的锗烷，控制生长室压强10～20Pa，在二氧化硅表面形成锗硅晶核；再将生长压强降至0.01～0.1Pa，保持生长参数不变，在锗硅晶核处选择性生长，形成连续的薄膜。采用本发明制备的多晶锗硅薄膜，可以避免一般化学气相沉积薄膜生长时成核与生长交替进行，造成薄膜在生长方向晶体质量不均匀，缺陷较多，载流子迁移率不高的问题。获得在薄膜生长方向上晶体质量均匀的多晶锗硅薄膜，为半导体器件制造提供高质量的多晶锗硅薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN100358112C | 申请公布日期 | 2007.12.26 |
| 申请号 | CN200510097011.7 | 申请日期 | 2005.12.31 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 叶志镇;吴贵斌;赵星;刘国军;赵炳辉 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01);C23C16/52(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 韩介梅 |
| 主权项 | 1.一种多晶锗硅薄膜的制备方法，其步骤如下：1)将硅衬底清洗干净放入热氧化炉中，通入纯氧，于900～1200℃下热氧化一层0.2～0.3μm的二氧化硅层；2)将经过步骤1)处理的硅衬底放入超高真空化学气相沉积装置中，500～600℃下，通入纯硅源以及锗烷含量为10％的锗烷与氢气的混和气，控制纯硅源与混和气的流量比为5∶5，生长室内压强为10～20Pa，生长10～15分钟，在二氧化硅表面形成锗硅晶核；3)将生长室内的压强降至0.01～0.1Pa，温度及硅源与混和气的流量比保持不变，在锗硅晶核处选择性生长，形成连续的薄膜。 | ||
| 地址 | 310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号 | ||