发明名称 |
通过MOCVD(金属有机化学汽相淀积)法制备ZnO透明导电膜的方法 |
摘要 |
将廉价的作为杂质包含于低纯度原料二乙基锌中的三乙基铝用作添加剂以降低膜形成的成本。将具有低纯度(99.99-98%或99.99-90%)的二乙基锌用作通过MOCVD(金属有机化学汽相淀积)法制备ZnO透明导电膜的原料。将水蒸气(H<SUB>2</SUB>O)用作氧化剂,和将作为杂质包含于所述原料中的三乙基铝用作添加剂(将二硼烷作为添加剂另外加入),以使所述二乙基锌、所述水蒸气(H<SUB>2</SUB>O)和所述三乙基铝(以及所述二硼烷)经历汽相反应,从而制备ZnO透明导电膜。 |
申请公布号 |
CN101094935A |
申请公布日期 |
2007.12.26 |
申请号 |
CN200580045339.2 |
申请日期 |
2005.12.27 |
申请人 |
昭和砚壳石油株式会社 |
发明人 |
栗谷川悟;田中良明 |
分类号 |
C23C16/40(2006.01);H01B13/00(2006.01);H01L31/04(2006.01) |
主分类号 |
C23C16/40(2006.01) |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
梁晓广;陆锦华 |
主权项 |
1.一种制备ZnO透明导电膜的方法,其中将低纯度二乙基锌(Zn(C2H5)2)用作通过MOCVD(金属有机化学汽相淀积)法制备ZnO透明导电膜的原料,其中所述方法包括使用90-99.99%的二乙基锌作为原料和使用水蒸气(H2O)作为氧化剂,利用作为杂质以0.01-10%的量包含于所述二乙基锌中的三乙基铝(Al(C2H5)3)作为第III族元素添加剂,和加入二硼烷(B2H6)作为第III族元素添加剂,以使所述二乙基锌、所述水蒸气(H2O)、所述三乙基铝和所述二硼烷经历汽相反应,并从而通过MOCVD(金属有机化学汽相淀积)法制备ZnO透明导电膜。 |
地址 |
日本东京 |