用于扩展存储器操作裕度并减小第二位效应的方法

摘要

本发明描述用于在具有多个存储单元的电荷陷入存储器中增大存储器操作裕度的方法和结构，前述多个存储单元中每一存储单元能够储存多个位。在本发明的第一观点，描述在单一存储单元二位的存储器中增大存储器操作裕度的第一方法，其通过施加正栅极电压+Vg将存储单元抹除为负电压电平来进行。或者，将负栅极电压－Vg施加到前述单一存储单元二位的存储器以便将存储单元抹除为负电压电平。增大存储器操作裕度的第二方法是将存储单元抹除为低于初始启始电压电平的电压电平。这两种抹除方法可在程序化步骤之前(即，预程序化抹除操作)或在程序化步骤之后(即，后程序化抹除操作)实施。

主权项

1.一种在具有多个多位存储单元的存储器元件中增大存储器操作裕度的方法，每一存储单元具有右位和左位，其特征在于前述方法包括以下步骤：在程序化前述多位存储单元之前，通过抹除操作将前述多位存储单元的临界电压变更为为负的电压准位，借此增大前述多位存储单元的操作裕度；以及通过程序化操作来程序化前述多位存储单元，每一多位存储单元具有配置在导电层与基底之间的电荷陷入结构。