| 发明名称 | 13.5nm极紫外滤波器的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种13.5nm极紫外滤波器的制作方法，包括下列步骤：1)加工一个铝框架，将无定形碳薄膜黏附在该铝框架上，该无定形碳薄膜的厚度为0.1～1μm；2)将所述的铝框架放入在真空镀膜机中，采用硅单晶作镀膜材料，在所述的无定形碳薄膜上真空蒸镀一层硅单晶薄膜，其厚度为0.1～0.2μm，即构成13.5nm极紫外滤波器。将制成的滤波器放置在真空室内，使镀硅膜的滤波器的那一面的法线和来自于极紫外光源的极紫外线成85°掠入射角，掠出射的极紫外线中，无论是长于或短于13.5nm的其余极紫外光线将被滤去，13.5nm的极紫外线的透过率将高达70％。 | ||
| 申请公布号 | CN100357768C | 申请公布日期 | 2007.12.26 |
| 申请号 | CN200610023269.7 | 申请日期 | 2006.01.12 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 高鸿奕;干慧菁;朱化凤;陈建文 |
| 分类号 | G02B5/20(2006.01) | 主分类号 | G02B5/20(2006.01) |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 张泽纯 |
| 主权项 | 1、一种13.5nm极紫外滤波器的制作方法，其特征在于该方法包括下列步骤：第一步，加工一个铝框架，将无定形碳薄膜黏附在该铝框架上，该无定形碳薄膜的厚度为0.1～1μm；第二步，将所述的铝框架放入真空镀膜机中，采用硅单晶作镀膜材料，在所述的无定形碳薄膜上真空镀膜一层硅单晶薄膜，其厚度为0.1μm～0.2μm，即构成13.5nm极紫外滤波器。 | ||
| 地址 | 201800上海市800－211邮政信箱 | ||