P沟道电可擦可编程只读存储器的编程方法

摘要

本发明涉及一种P沟道电可擦可编程只读存储器(EEPROM)的编程方法，将该EEPROM的N井接地，在控制闸上施加第一正电压，在P型源极区上施加第二正电压或一编程电流，并于P型漏极区上施加一负电压。

主权项

1.一种P沟道电可擦可编程只读存储器(EEPROM)的编程方法，所述EEPROM具有N井、浮置闸、控制闸、P型源极区、P型漏极区，以及耦接于所述漏极区与位线之间的选择闸，该方法包括：使所述N井接地；在所述控制闸上施加第一正电压；在所述源极区上施加一第二正电压或编程电流；在所述位线上施加第一负电压，并开启所述选择闸以将所述第一负电压传到所述漏极区上；其中由所述第二正电压或所述编程电流造成的顺向偏压，用以开启由所述源极区、所述漏极区与所述N井所构成的寄生双载子晶体管，且所述漏极区与所述N井间的逆向偏压足以导致所述源极区与所述漏极区间产生电子流，以注入所述浮置闸中。