半导体装置及其制造方法

摘要

将多个半导体芯片(23)结合至基板(21)上所形成的粘接层(22)。然后，对多个半导体芯片(23)集中形成第一至第三绝缘膜(31、35、39)、第一和第二底垫金属层(33、37)、第一和第二重新布线(34、38)，以及焊球(41)。在这种情况下，第一和第二底垫金属层(33、37)通过溅射法形成，且第一和第二重新布线(34、38)通过电镀法形成。随后，在位于相邻半导体芯片(23)之间的区域中切割由三个绝缘膜(39、35、31)、粘接层(22)和基板(21)组成的分层结构。

主权项

1.一种半导体装置，包括：至少一个半导体芯片(23)，在其上表面上形成有多个连接垫(25)；第一绝缘膜(31)，形成为覆盖所述半导体芯片(23)的所述上表面以及外围表面；第一重新布线(34)，以电连接到所述半导体芯片(23)的所述连接垫(25)的方式形成在所述第一绝缘膜(31)的上表面上；第二绝缘膜(35)，形成为覆盖所述第一绝缘膜(31)以及所述第一重新布线(34)，并且具有将所述第一重新布线(34)的多个部分暴露出来的开口部分(36)；柱状电极(61)，形成在所述第一重新布线(34)中的暴露出来的部分上；以及第二重新布线(38)，以电连接到所述柱状电极(61)的方式形成在所述第一绝缘膜(31)上，至少一些所述第二重新布线各自包括设置在所述第一绝缘膜(31)的一个区域中的衬垫部分，该区域位于所述半导体芯片之外。