发明名称 | 图案化光阻的形成方法 | ||
摘要 | 一种图案化光阻的形成方法。首先,于基底上形成第一光阻,此第一光阻适用于基底中形成沟渠。接着于第一光阻上形成第二光阻,第二光阻适用于基底中形成线型图案。然后对第一光阻与第二光阻进行曝光显影步骤以形成图案化光阻。 | ||
申请公布号 | TWI291715 | 申请公布日期 | 2007.12.21 |
申请号 | TW091102027 | 申请日期 | 2002.02.05 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 洪齐元 |
分类号 | H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | H01L21/027(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼 | |
主权项 | 1.一种图案化光阻的形成方法,该方法至少包括: 形成一第一光阻于一基底上; 形成一第二光阻于该第一光阻上,该第二光阻之厚 度大于该第一光阻之厚度; 对该第一光阻与该第二光阻进行一曝光步骤,该第 一光阻在该曝光步骤中产生之光酸的扩散速率大 于该第二光阻在该曝光步骤中产生之光酸的扩散 速率,或该第一光阻于该曝光显影步骤中之对比能 力小于该第二光阻于该曝光显影步骤中之对比能 力;以及 对该第一光阻与该第二光阻进行一显影步骤,以形 成一图案化光阻。 2.如申请专利范围第1项所述之图案化光阻的形成 方法,其中该第一光阻的厚度足以让其底部不会有 足部形成。 3.如申请专利范围第1项所述之图案化光阻的形成 方法,其中该第二光阻的厚度依该第二光阻与该基 底之材质的蚀刻选择比与欲蚀刻之深度而定。 4.如申请专利范围第1项所述之图案化光阻的形成 方法,其中该第二光阻的厚度足以作为后续蚀刻步 骤之蚀刻罩幕。 图式简单说明: 第1-2图是依据本发明一较佳实施例的一种图案化 光阻的形成方法流程剖面图,其中第1图为形成光 阻后之示意图,第2图为光阻显影后之示意图。 | ||
地址 | 新竹市新竹科学园区力行路16号 |