| 主权项 |
1.一种阻挡氢离子渗透的金属层间介电层的制造 方法,其步骤包括: (a)提供一基底,该基底上具有至少一金属导线; (b)形成一填充氧化层于该基底上,并覆盖该金属导 线; (c)平坦化该填充氧化层表面; (d)形成一第一富矽氧化层于该填充氧化层上,其中 该第一富矽氧化层的折射系数(refractive index)系1.6 ~1.64;以及 (e)形成一第二富矽氧化层于该第一富矽氧化层上, 其中该第二富矽氧化层的折射系数系1.49~1.55。 2.如申请专利范围第1项所述之阻挡氢离子渗透的 金属层间介电层的制造方法,其中在步骤(e)之后, 更包括: (f)形成一介层窗穿越该第二富矽氧化层、该第一 富矽氧化层及部分该氧化层而露出该金属导线表 面; (g)进行一电浆清洗制程;以及 (h)填入导体材料于该介层窗内,而形成一导体插塞 。 3.如申请专利范围第2项所述之阻挡氢离子渗透的 金属层间介电层的制造方法,其中在步骤(g)之后, 更包括: (g1)形成一阻障层于该介层窗内之周壁与底部上。 4.如申请专利范围第1项所述之阻挡氢离子渗透的 金属层间介电层的制造方法,其中平坦化该填充氧 化层表面的方法系化学机械研磨法(CMP)。 5.如申请专利范围第1项所述之阻挡氢离子渗透的 金属层间介电层的制造方法,其中平坦化该填充氧 化层表面的方法系回蚀法(etching back)。 6.如申请专利范围第1项所述之阻挡氢离子渗透的 金属层间介电层的制造方法,其中该第一富矽氧化 层系由沉积法所形成。 7.如申请专利范围第1项所述之阻挡氢离子渗透的 金属层间介电层的制造方法,其中该第二富矽氧化 层系由沉积法所形成。 8.如申请专利范围第1项所述之阻挡氢离子渗透的 金属层间介电层的制造方法,其中该第一富矽氧化 层的厚度范围系1800~2200埃。 9.如申请专利范围第1项所述之阻挡氢离子渗透的 金属层间介电层的制造方法,其中该第二富矽氧化 层的厚度范围系800~1200埃。 10.如申请专利范围第2项所述之阻挡氢离子渗透的 金属层间介电层的制造方法,其中该电浆清洗制程 系氩气电浆清洗制程。 11.如申请专利范围第2项所述之阻挡氢离子渗透的 金属层间介电层的制造方法,其中该导体材料系钨 金属。 12.如申请专利范围第3项所述之阻挡氢离子渗透的 金属层间介电层的制造方法,其中该阻障层系由沉 积法所形成的钛/氮化钛层。 13.一种阻挡氢离子渗透的金属层间介电层的制造 方法,其步骤包括: (a)提供一基底,该基底上具有至少一金属导线; (b)形成一填充氧化层于该基底上,并覆盖该金属导 线; (c)平坦化该填充氧化层表面; (d)形成一第一富矽氧化层于该填充氧化层上;以及 (e)形成一第二富矽氧化层于该第一富矽氧化层上; 其中,该第二富矽氧化层的折射系数小于该第一富 矽氧化层的折射系数。 14.如申请专利范围第13项所述之阻挡氢离子渗透 的金属层间介电层的制造方法,其中该第一富矽氧 化层的折射系数系1.6~1.64。 15.如申请专利范围第13项所述之阻挡氢离子渗透 的金属层间介电层的制造方法,其中该第二富矽氧 化层的折射系数系1.49~1.55。 图式简单说明: 第1A~1B图系显示习知之金属层间介电层的制程剖 面图; 第2A~2B图系显示本发明第一实施例之制程剖面图; 第2C图系显示折射系数系1.49~ 1.55的富矽氧化层经 氩气电浆清洗制程后,微粒子发生比例的制程统计 图; 第3A~3B图系显示本发明第二实施例之制程剖面图; 第3C图系显示折射系数系1.6~ 1.64的富矽氧化层经 氩气电浆清洗制程后,微粒子发生比例的制程统计 图; 第3D图系显示折射系数系1.6 ~ 1.64的该富矽氧化层 经氩气电浆清洗制程后,微粒子数量的曲线图;以 及 第4A~4D图系显示本发明第三实施例之制程剖面图 。 |
