| 主权项 |
1.一种罩幕式唯读记忆体的制造方法,该方法包括: 提供一基底; 于该基底上形成一掺杂导体层; 图案化该掺杂导体层,以形成复数的条状掺杂导体 层; 以热氧化法于该基底与该些条状掺杂导体层上形 成一介电层,并同时于该些条状掺杂导体层下方之 该基底中形成复数个扩散区;以及 于该介电层上形成一图案化导体层。 2.如申请专利范围第1项所述之罩幕式唯读记忆体 的制造方法,其中该掺杂导体层的材质包括掺杂一 离子的多晶矽。 3.如申请专利范围第1项所述之罩幕式唯读记忆体 的制造方法,其中形成该掺杂导体层的方法包括于 化学气相沈积制程中,临场掺杂一离子以进行沈积 。 4.如申请专利范围第3项所述之罩幕式唯读记忆体 的制造方法,其中所掺杂的该离子包括磷离子。 5.如申请专利范围第4项所述之罩幕式唯读记忆体 的制造方法,其中该离子的掺杂剂量为0.5*1019至0.5* 1021 l/cm3左右。 6.如申请专利范围第3项所述之罩幕式唯读记忆体 的制造方法,其中所掺杂的该离子包括砷离子。 7.如申请专利范围第6项所述之罩幕式唯读记忆体 的制造方法,其中该离子的掺杂剂量为0.5*1019至0.5* 1021 l/cm3左右。 8.如申请专利范围第1项所述之罩幕式唯读记忆体 的制造方法,其中于形成该些扩散区后,更包括进 行一口袋离子植入制程。 9.一种罩幕式唯读记忆体的制造方法,该方法包括: 提供一基底; 于该基底上形成一掺杂导体层; 图案化该掺杂导体层,以形成复数条状掺杂导体层 ; 于该基底与该些条状掺杂导体层上形成一介电层; 于形成该介电层之后,进行一回火制程,以于该些 条状掺杂导体层下方之该基底中形成复数个扩散 区;以及 于该介电层上形成一图案化导体层。 10.如申请专利范围第9项所述之罩幕式唯读记忆体 的制造方法,其中该掺杂导体层的材质包括掺杂一 离子的多晶矽。 11.如申请专利范围第9项所述之罩幕式唯读记忆体 的制造方法,其中形成该掺杂导体层的方法包括于 化学气相沈积制程中,临场掺杂一离子以进行沈积 。 12.如申请专利范围第11项所述之罩幕式唯读记忆 体的制造方法,其中所掺杂的该离子包括磷离子。 13.如申请专利范围第12项所述之罩幕式唯读记忆 体的制造方法,其中该离子的掺杂剂量为0.5*1019至0 .5*1021 l/cm3左右。 14.如申请专利范围第11项所述之罩幕式唯读记忆 体的制造方法,其中所掺杂的该离子包括砷离子。 15.如申请专利范围第14项所述之罩幕式唯读记忆 体的制造方法,其中该离子的掺杂剂量为0.5*1019至0 .5*1021 l/cm3左右。 16.如申请专利范围第9项所述之罩幕式唯读记忆体 的制造方法,其中该介电层的材质包括选自氧化矽 、氮氧化矽、氮化矽、氧化矽-氮化矽-氧化矽堆 叠层、氮化矽-氮化矽-氮化矽堆叠层、氮化矽-氮 化矽-氧化矽堆叠层、氧化矽-氧化矽-氮化矽堆叠 层所组之族群其中之一。 17.如申请专利范围第9项所述之罩幕式唯读记忆体 的制造方法,其中形成该介电层的方法包括化学气 相沈积法。 18.如申请专利范围第9项所述之罩幕式唯读记忆体 的制造方法,其中于形成该些扩散区后,更包括进 行一口袋离子植入制程。 图式简单说明: 第1A图至第1D图所绘示为依照本发明较佳实施例之 罩幕式唯读记忆体的制造方法之制程剖面示意图; 以及 第2A图至第2C图所绘示为依照本发明较佳实施例之 罩幕式唯读记忆体进行口袋离子植入制程的剖面 示意图。 |
