| 主权项 |
1.一种氢离子束应用于液晶分子配向之方法,系包 括下列步骤: 提供一配向薄膜; 产生一含氢之离子束;及 对准该配向薄膜且以该含氢之离子束冲击该配向 薄膜。 2.如申请专利范围第1项所述之氢离子束应用于液 晶分子配向之方法,其中该配向薄膜材料系为有机 材料或无机材料。 3.如申请专利范围第2项所述之氢离子束应用于液 晶分子配向之方法,其中该有机材料系为聚亚醯胺 膜。 4.如申请专利范围第2项所述之氢离子束应用于液 晶分子配向之方法,其中该无机材料系为含碳之无 机膜。 5.如申请专利范围第1项所述之氢离子束应用于液 晶分子配向之方法,其中该离子束内所含之氢离子 成分流量系为其他离子成分流量总和的100倍以上 。 6.如申请专利范围第1项所述之氢离子束应用于液 晶分子配向之方法,其中该产生一含氢之离子束之 步骤更包含决定一可调整入射角度、离子能量和 剂量之离子束。 7.一种氢离子束应用于液晶分子配向之方法,系包 括下列步骤: 提供一配向薄膜; 产生一含氢之离子束; 决定一可调整入射角度、离子能量和剂量之离子 束;及 对准该配向薄膜且以该含氢之离子束冲击该配向 薄膜。 8.如申请专利范围第7项所述之氢离子束应用于液 晶分子配向之方法,其中该配向薄膜材料系为有机 材料或无机材料。 9.如申请专利范围第8项所述之氢离子束应用于液 晶分子配向之方法,其中该有机材料系为聚亚醯胺 膜。 10.如申请专利范围第8项所述之氢离子束应用于液 晶分子配向之方法,其中该无机材料系为含碳之无 机膜。 11.如申请专利范围第7项所述之氢离子束应用于液 晶分子配向之方法,其中该离子束内所含之氢离子 成分流量系为其他离子成分流量总和的100倍以上 。 图式简单说明: 第一图系为习知之氩离子束冲击配向层之示意图; 第二图系为本发明之氢离子束冲击配向层之示意 图;及 第三图系为本发明第一实施例之氢离子束应用于 液晶分子配向之方法流程图;及 第四图系为本发明实施例之氢离子束与氩离子束 对液晶盒电特性之比较示意图。 |
