| 主权项 |
1.一种蚀刻金属层的方法,其包括: 提供一半导体基底,其上具有一金属层和一抗反射 层; 以一弱硷水溶液处理该抗反射层之表面,其中该弱 硷水溶液之pH値在9至11之间; 在该经处理之抗反射层形成一光阻层; 图案化该光阻层; 以该光阻层图案为罩幕,蚀刻该经处理之抗反射层 和金属层;以及 除去光阻层图案和抗反射层。 2.如申请专利范围第1项所述之蚀刻金属层的方法, 其中该弱硷水溶液包括一含氮之弱硷。 3.如申请专利范围第2项所述之蚀刻金属层的方法, 其中该含氮之弱硷为一胺类。 4.如申请专利范围第3项所述之蚀刻金属层的方法, 其中该含氮之弱硷为C2H5NH2。 5.如申请专利范围第2项所述之蚀刻金属层的方法, 其中该含氮之弱硷为氨水(NH4OH)。 6.如申请专利范围第2项所述之蚀刻金属层的方法, 其中该弱硷水溶液更包括一氧化物。 7.如申请专利范围第6项所述之蚀刻金属层的方法, 其中该氧化物为过氧化物。 8.如申请专利范围第7项所述之蚀刻金属层的方法, 其中该过氧化物为过氧化氢(H2O2)。 9.如申请专利范围第1项所述之蚀刻金属层的方法, 其中该弱硷水溶液包括0.05至0.1 wt%之含氮之弱硷, 10至15 wt%之氧化物,以及余量为水。 10.如申请专利范围第1项所述之蚀刻金属层的方法 ,其中该抗反射层为SiON。 11.如申请专利范围第1项所述之蚀刻金属层的方法 ,其中该光阻层为化学放大型光阻层。 图式简单说明: 第1a至1b图显示依据传统上形成光阻层图案以蚀刻 金属层的制程剖面图。 第2a至2f图显示依据本发明较佳实施例蚀刻金属层 之方法的制程剖面图。 |
