| 主权项 |
1.一种半导体晶圆,具有被切角之周围,以及具有至 少一受到镜面抛光之主表面,其中该周围具有倾斜 表面,其对于主表面之倾斜角不小于5且不大于25, 且系设置以具有朝该晶圆周围之未镜面抛光部份, 且其中该未镜面抛光部份系在朝该晶圆周围之主 表面侧上之该倾斜表面之部份上。 2.如申请专利范围第1项之半导体晶圆,其中该倾斜 表面在该晶圆之径向中之长度等于或大于100 m 。 3.一种半导体晶圆,具有在以如申请专利范围第1项 中半导体晶圆作为基板上所形成之磊晶成长薄膜 。 4.一种半导体晶圆,具有在以如申请专利范围第2项 中半导体晶圆作为基板上所形成之磊晶成长薄膜 。 5.如申请专利范围第1项之半导体晶圆,其中该倾斜 表面在该未镜面抛光部份的径向中之长度系为50 m或更多。 6.一种半导体晶圆,具有在以如申请专利范围第3项 中半导体晶圆作为基板上所形成之磊晶成长薄膜, 其中该半导体晶圆基板系为InP晶体。 7.一种半导体晶圆,具有在以如申请专利范围第3项 中半导体晶圆作为基板上所形成之磊晶成长薄膜, 其中该磊晶成长薄膜系为InP/InGaAs/InP。 8.一种制造半导体晶圆的方法,包含: 切角步骤:在该晶圆的周围上形成倾斜表面,其对 主表面之倾斜角度不小于5且不大于25,且其在该 晶圆的径向中之长度不小于100m;以及 镜面抛光步骤:其实施抛光,以致于未镜面抛光部 份存留在朝该晶圆周围之主表面侧上之该倾斜表 面之部份上。 图式简单说明: 第1图为根据本发明之半导体晶圆之概要图; 第2图为根据本发明之半导体晶圆主表面之概要图 ,此晶圆作为基板在其上实施磊晶成长; 第3图显示在倾斜平面之倾斜角度、比平面在晶 圆径向中之长度L、以及非镜面抛光部份之长度L2 之间之关系。 第4图为具有磊晶薄膜之半导体晶圆之概要图,此 薄膜是使用以习知技术切角之半导体晶圆作为基 板藉由实施磊晶成长而获得;以及 第5图为第4图中所示切角部份20之放大图,其显示 晶圆主表面之周围部份(介于磊晶薄膜30与特殊成 长50之间之边界)之细节。 |
