| 主权项 |
1.一种研磨装置,针对具有研磨定盘及工件支持盘, 且使研磨剂溶液连续流动地研磨被支持在工件支 持盘上的工件之研磨装置,其特征为: 该研磨定盘系由铸造一体地形成,且该研磨定盘之 构造系在背面具有复数之凹部及/或肋,且在定盘 内部形成温度调整用流体之流路之同时,未形成流 路之部分则以内部肋构造来作用。 2.如申请专利范围第1项之研磨装置,其中构成上述 研磨定盘之材料的热膨胀系数的値为510-6/℃以下 ,且其耐蚀性几乎与不锈钢相等。 3.如申请专利范围第2项之研磨装置,其中上述研磨 定盘之材料为殷钢。 4.如申请专利范围第1项之研磨装置,其中: 藉由控制温度控制温度调整用流体之流量及/或温 度,使研磨动作时之研磨定盘的温度变化及/或工 件支持盘之温度变化控制在预定之范围内。 5.如申请专利范围第4项之研磨装置,其中使上述研 磨动作时的研磨定盘及/或上述工件支持盘的任意 位置的温度变动,在3℃以内。 6.如申请专利范围第1项之研磨装置,其中控制上述 研磨剂溶液之温度及/或流量,使研磨动作时的研 磨布之研磨面的任意位置的温度变动,为10℃以下 。 7.如申请专利范围第3项之研磨装置,其中控制上述 研磨剂溶液之温度及/或流量,使研磨动作时的研 磨布之研磨面的任意位置的温度变动,为10℃以下 。 8.如申请专利范围第1项之研磨装置,其中将上述研 磨定盘之旋转不均程度抑制在1%以下。 9.如申请专利范围第3项之研磨装置,其中将上述研 磨定盘之旋转不均程度抑制在1%以下。 10.如申请专利范围第1项之研磨装置,其中将上述 研磨定盘的研磨面的旋转时的面振动抑制在15m 以下。 11.如申请专利范围第3项之研磨装置,其中将上述 研磨定盘的研磨面的旋转时的面振动抑制在15m 以下。 12.如申请专利范围第1项之研磨装置,其中将上述 研磨定盘之旋转轴的旋转振动抑制在30m以下。 13.如申请专利范围第3项之研磨装置,其中将上述 研磨定盘之旋转轴的旋转振动抑制在30m以下。 14.如申请专利范围第1项之研磨装置,其中前述工 件支持盘在背面,形成有凹部或者具有肋构造。 15.如申请专利范围第3项之研磨装置,其中前述工 件支持盘在背面,形成有凹部或者具有肋构造。 16.如申请专利范围第14项之研磨装置,其中上述工 件支持盘之材料,系为氧化铝陶瓷或碳化矽(SiC)。 17.如申请专利范围第15项之研磨装置,其中上述工 件支持盘之材料,系为氧化铝陶瓷或碳化矽(SiC)。 18.如申请专利范围第16项之研磨装置,其中与上述 工件支持盘的前述工件的接合领域内,开口有将工 件吸引支持之复数细孔。 19.如申请专利范围第17项之研磨装置,其中与上述 工件支持盘的前述工件的接合领域内,开口有将工 件吸引支持之复数细孔。 20.如申请专利范围第1项之研磨装置,其中在研磨 动作时的研磨定盘之定盘表面的切线方向之变形 量及/或在工件支持盘之工件支持面之切线方向的 变形量,抑制在100m以下。 21.一种研磨方法,具有研磨定盘与工件支持盘,且 使研磨剂溶液续流动地研磨被支持在工件支持盘 的工件之研磨方法中,其特征为: 利用贴设于前述研磨定盘上之研磨布来研磨前述 工件之被研磨面时,使研磨动作时的该研磨布之研 磨布之任意位置的温度变动,为10℃以下。 22.一种研磨方法,具有研磨定盘与工件支持盘,并 将支持于工件支持盘之工件将研磨剂溶液连续地 流动而研磨之研磨方法中,其特征为: 将研磨中前述工件之温度变动抑制在10℃以下。 23.如申请专利范围第21项之研磨方法,其中控制前 述研磨剂溶液的温度及/或流量,使上述研磨动作 时的研磨布之研磨面的任意位置的温度及/或晶圆 温度之变动,为10℃以下。 24.如申请专利范围第22项之研磨方法,其中控制前 述研磨剂溶液的温度及/或流量,使上述研磨动作 时的研磨布之研磨面的任意位置的温度及/或晶圆 温度之变动,为10℃以下。 25.如申请专利范围第21项之研磨方法,其中使用具 有研磨定盘与工件支持盘,且使研磨剂溶液续流动 地研磨被支持在工件支持盘的工件之研磨装置,并 将在研磨动作时的研磨定盘之定盘表面的切线方 向之变形量及/或在工件支持盘之工件支持面之切 线方向的变形量,抑制在100m以下。 26.如申请专利范围第22项之研磨方法,其中使用具 有研磨定盘与工件支持盘,且使研磨剂溶液续流动 地研磨被支持在工件支持盘的工件之研磨装置,并 将在研磨动作时的研磨定盘之定盘表面的切线方 向之变形量及/或在工件支持盘之工件支持面之切 线方向的变形量,抑制在100m以下。 27.一种研磨方法,针对具有研磨定盘与工件支持盘 ,且研磨被支持于工件支持盘上之工件之研磨装置 所使用的研磨方法,其特征为: 在工件支持盘上使复数之晶圆满足下式(1)之关系 在2mm以内之误差地支持配置; |
