| 主权项 |
1.一种提高太阳能电池产能制程装置,其包含: 一真空加热腔体,该真空加热腔体设有加热器、至 少一个以上之分子涡流帮浦及至少一个以上之乾 式帮浦,又该真空加热腔体入口处设有可开闭之第 一真空封合闸门,而该真空加热腔体出口处设有可 开闭之第二真空封合闸门; 一真空电浆辅助化学气相沉积制程腔体,该真空电 浆辅助化学气相沉积制程腔体设有气体供应装置 、高频电极、至少一个以上之分子涡流帮浦及至 少一个以上之乾式帮浦,又该真空电浆辅助化学气 相沉积制程腔体与真空加热腔体间设有可开闭之 第二真空封合闸门,而该真空电浆辅助化学气相沉 积制程腔体出口处设有可开闭之第三真空封合闸 门; 一真空冷却腔体,该真空冷却腔体设有冷却装置、 至少一个以上之分子涡流帮浦及至少一个以上之 乾式帮浦,且该真空冷却腔体与真空电浆辅助化学 气相沉积制程腔体间设有可开闭之第三真空封合 闸门,而该真空冷却腔体出口处亦设有可开闭之第 四真空封合闸门。 2.如申请专利范围第1项所述之提高太阳能电池产 能制程装置,其中该真空加热腔体真空度为4.6e-5 torr、温度为230度以上、时间为两小时。 3.如申请专利范围第1项所述之提高太阳能电池产 能制程装置,其中该真空电浆辅助化学气相沉积制 程腔体制程时间为2.5小时。 4.如申请专利范围第1项所述之提高太阳能电池产 能制程装置,其中该真空冷却腔体冷却时间为1.5小 时。 图式简单说明: 第一图系为一般习知之批次式PECVD加工装置。 第二图系为本创作结构示意图。 第三图系为本创作启动时动作示意图。 第四图系为本创作第一步动作示意图。 第五图系为本创作第二步动作示意图。 第六图系为本创作第三步动作示意图。 第七图系为本创作第四步动作示意图。 第八图系为本创作第五步动作示意图。 第九图系为本创作第六步动作示意图。 |
