| 主权项 |
1.一种灰阶罩幕,系具有包含遮光部、透光部和半 透光部所成之图案者,其特征在于: 上述图案具有使透光部、遮光部和半透光部在一 方向依此顺序邻接之图案,上述遮光部叠层有形成 遮光部之遮光膜;和半透光膜,其形成在该遮光膜 上而位于邻接上述透光部之遮光部侧所须余裕( margin)区域以外之区域。 2.一种灰阶罩幕,系使用在薄膜电晶体基板之制造 步骤中者,其至少具有:遮光部,其形成在薄膜电晶 体基板之与源极电极和汲极电极对应之图案中,对 向于源极电极和汲极电极之部份上;半透光部,其 形成在源极电极和汲极电极之遮光部以外之部份; 和透光部,其对应于与上述遮光部邻接之通道部; 其特征在于: 上述遮光部叠层有:形成遮光部之遮光膜;和半透 光膜,其形成在该遮光膜上而位于邻接上述透光部 之遮光部侧所须之余裕区域以外之区域。 3.一种灰阶罩幕之制造方法,系用以制造灰阶罩幕 之方法,该灰阶罩幕具有包含遮光部、透光部和半 透光部所成之图案,且具有使透光部、遮光部和半 透光部在一方向依该顺序邻接之图案,其特征在于 具有: 准备步骤,其在透明基板上,准备至少形成有遮光 膜之罩幕毛胚(mask blank); 遮光部图案形成步骤,其包含在形成遮光膜图案用 之第1抗蚀剂膜上描绘及显影第1描绘图案,用来形 成第1抗蚀剂图案,且以该第1抗蚀剂图案作为罩幕 蚀刻遮光膜之步骤; 半透光膜形成步骤,其在形成有上述遮光部之透明 基板上形成半透光膜;和 半透光膜图案形成步骤,其包含在为了形成半透光 膜图案而形成于上述半透光膜上之第2抗蚀剂膜上 描绘及显影第2描绘图案,用来形成第2抗蚀剂图案, 且以该第2抗蚀剂图案作为罩幕蚀刻半透光膜; 而上述第1描绘图案系与上述遮光部对应之图案, 第2描绘图案系对应到上述半透光部、和上述遮光 部内至少位于邻接遮光部与透光部之遮光部侧所 须余裕区域以外之区域。 4.一种灰阶罩幕之制造方法,系使用在薄膜电晶体 基板之制造步骤中者,其至少具有:遮光部,其形成 在薄膜电晶体基板之与源极电极和汲极电极对应 之图案中,对向于源极电极和汲极电极之部份上; 半透光部,其形成在源极电极和汲极电极之遮光部 以外之部份;和透光部,其对应于与上述遮光部邻 接之通道部;该制造方法之特征在于具有: 准备步骤,其在透明基板上,准备至少形成有遮光 膜之罩幕毛胚; 遮光部图案形成步骤,其包含在形成遮光膜图案用 之第1抗蚀剂膜上描绘及显影第1描绘图案,用来形 成第1抗蚀剂图案,且以该第1抗蚀剂图案作为罩幕 蚀刻遮光膜之步骤; 半透光膜形成步骤,其在形成有上述遮光部之透明 基板上形成半透光膜;和 半透光膜图案形成步骤,其包含在为了形成半透光 膜图案而形成于上述半透光膜上之第2抗蚀剂膜上 描绘及显影第2描绘图案,用来形成第2抗蚀剂图案, 且以该第2抗蚀剂图案作为罩幕蚀刻半透光膜; 而上述第1描绘图案系与上述遮光部对应之图案, 第2描绘图案系对应于上述半透光部、和上述遮光 部内至少位于邻接遮光部与透光部之遮光部侧所 须余裕区域以外之区域。 5.一种灰阶罩幕之制造方法,系用以制造灰阶罩幕 之方法,该灰阶罩幕具有包含遮光部、透光部和半 透光部所成之图案,且具有使透光部、遮光部和半 透光部在一方向依该顺序邻接之图案,其特征在于 具有: 准备步骤,其在透明基板上,准备至少叠层有半透 光膜和遮光膜之罩幕毛胚; 遮光部图案形成步骤,其包含在形成遮光膜图案用 之第1抗蚀剂膜上描绘及显影第1描绘图案,用来形 成第1抗蚀剂图案,且以该第1抗蚀剂图案作为罩幕 蚀刻遮光膜之步骤;和 半透光膜图案形成步骤,其包含在为了形成半透光 膜图案而形成于上述半透光膜上之第2抗蚀剂膜上 描绘及显影第2描绘图案,用来形成第2抗蚀剂图案, 且以该第2抗蚀剂图案作为罩幕,蚀刻半透光膜; 而上述第1描绘图案系与上述遮光部对应之图案, 第2描绘图案系对应于上述半透光部、和上述遮光 部内至少位于邻接遮光部与透光部之遮光部侧所 须余裕区域以外之区域。 6.一种灰阶罩幕之制造方法,系使用在薄膜电晶体 基板之制造步骤中者,其至少具有:遮光部,形成在 薄膜电晶体基板之与源极电极和汲极电极对应之 图案中,对向于源极电极和汲极电极之部份上;半 透光部,其形成在源极电极和汲极电极之遮光部以 外之部份;和透光部,其对应于与上述遮光部邻接 之通道部;该制造方法之特征在于具有: 准备步骤,其在透明基板上,准备至少叠层有半透 光膜和遮光膜之罩幕毛胚; 遮光部图案形成步骤,其包含在形成遮光膜图案用 之第1抗蚀剂膜上描绘及显影第1描绘图案,用来形 成第1抗蚀剂图案,且以该第1抗蚀剂图案作为罩幕 蚀刻遮光膜之步骤;和 半透光膜图案形成步骤,其包含在为了形成半透光 膜图案而形成于上述半透光膜上之第2抗蚀剂膜上 描绘及显影第2描绘图案,用来形成第2抗蚀剂图案, 且以该第2抗蚀剂图案作为罩幕蚀刻半透光膜; 而上述第1描绘图案系与上述遮光部对应之图案, 第2描绘图案系对应于上述半透光部、和上述遮光 部内至少位于邻接遮光部与透光部之遮光部侧所 须余裕区域以外之区域。 图式简单说明: 图1是实施形态1之灰阶罩幕之剖面图。 图2(a)~(c)是实施形态1之灰阶罩幕之部份扩大图。 图3(a)~(h)是实施形态1之灰阶罩幕之制造步骤图。 图4(a)~(h)是实施形态2之灰阶罩幕之制造步骤图。 图5(a)~(c)是实施形态2之灰阶罩幕之部份扩大图。 图6(a)~(c)是比较例之灰阶罩幕之部份扩大图。 图7是另一实施形态之灰阶罩幕之平面图。 图8(a)、(b)是先前技术之灰阶罩幕之平面图。 图9(a)~(e)是先前技术之TFT基板之制造步骤图。 图10是先前技术之灰阶罩幕之平面图。 图11是先前技术之制造阶段之TFT基板之平面图。 图12(A)、(B)是先前技术之灰阶罩幕之剖面图。 图13(a)~(c)是先前技术之灰阶罩幕之部份扩大图。 图14(a)~(h)是先前技术之灰阶罩幕之制造步骤图。 图15(a)~(h)是先前技术之灰阶罩幕之制造步骤图。 图16(a)~(h)是先前技术之灰阶罩幕之制造步骤图。 |
