| 主权项 |
1.一种正型光阻组成物,其系含有:(A)具有(a1)硷可 溶性之构成单位及(a2)具有酸解离性溶解抑制基之 构成单位,且藉由酸作用而硷可溶性可增大之树脂 成分,以及(B)藉由曝光可发生酸之酸产生剂成分之 正型光阻组成物, 其特征为在前述树脂成分(A)中,前述构成单位(a1) 系具有由(-甲基)羟基苯乙烯所衍生之构成单位( a11),且前述构成单位(a2)系具有下述一般式(II) 【化1】 [式中,X为脂肪族环状基、芳香族环状烃基或碳数1 ~5之烷基,R1为碳数1~5之烷基,或者X及R1各自独立地 为碳数1~5之伸烷基且X之末端及R1之末端系可键结 者,R2为碳数1~5之烷基或氢原子]表示之酸解离性溶 解抑制基(II)及/或具有选自链状三级烷氧基羰基 、链状三级烷基、及链状三级烷氧基羰基烷基所 成群之至少一种之酸解离性溶解抑制基(III),且 含有氨NH3之氢原子被以全部碳原子数1~5之直链或 支链之烷基氢原子之一部由芳香环取代之基所取 代而成之芳香族胺(C)者。 2.如申请专利范围第1项之正型光阻组成物,其中该 酸解离性溶解抑制基(II)系下述一般式(II-1) 【化2】 [式中,Y为脂肪族环状基或碳数1~5之烷基,R1为碳数1 ~5之烷基]表示之酸解离性溶解抑制基。 3.如申请专利范围第2项之正型光阻组成物,其中该 酸解离性溶解抑制基(III)系链状三级烷氧基羰基 。 4.如申请专利范围第1项之正型光阻组成物,其中该 构成单位(a1)系进而具有由具有醇性羟基(-低级 烷基)之丙烯酸酯衍生之构成单位(a12)。 5.如申请专利范围第4项之正型光阻组成物,其中该 构成单位(a12)系由具有醇性羟基之含脂肪族多环 状基之(-低级烷基)丙烯酸酯衍生之构成单位。 6.如申请专利范围第1项之正型光阻组成物,其中该 构成单位(a2)系含有该构成单位(a11)之羟基之氢原 子以酸解离性溶解抑制基进行取代所成之构成单 位(a21)。 7.如申请专利范围第4项之正型光阻组成物,其中该 构成单位(a2)系含有该构成单位(a12)之醇性羟基之 氢原子以酸解离性溶解抑制基进行取代所成之构 成单位(a22)。 8.如申请专利范围第1项之正型光阻组成物,其中该 树脂成分(A)系含有具有该构成单位(a11)、由具有 醇性羟基(-低级烷基)之丙烯酸酯衍生之构成单 位(a12)、该构成单位(a11)之羟基之氢原子以酸解离 性溶解抑制基进行取代所成之构成单位(a21)及/或 该构成单位(a12)之醇性羟基之氢原子以酸解离性 溶解抑制基进行取代所成之构成单位(a22)之共聚 物者。 9.如申请专利范围第1项之正型光阻组成物,其中该 树脂成分(A)系含有一具有该构成单位(a1)及该构成 单位(a2),且具有该酸解离性溶解抑制基(II)而不具 有该酸解离性溶解抑制基(III)以作为酸解离性溶 解抑制基之聚合物(A1),以及含有一具有该构成单 位(a1)及该构成单位(a2),且具有该酸解离性溶解抑 制基(III)而不具有该酸解离性溶解抑制基(II)以作 为酸解离性溶解抑制基之聚合物(A2)者。 10.如申请专利范围第9项之正型光阻组成物,其中 该聚合物(A1)以及该聚合物(A2)之含量比(质量比)系 10/90~90/10之范围内者。 11.如申请专利范围第9项之正型光阻组成物,其中 该聚合物(A1)系一具有该构成单位(a11)及该构成单 位(a11)之羟基之氢原子以酸解离性溶解抑制基进 行取代所成之构成单位(a21),且不具有由具有醇性 羟基之(-低级烷基)丙烯酸酯衍生之构成单位(a12 )及该构成单位(a12)之醇性羟基之氢原子以酸解离 性溶解抑制基进行取代所成之构成单位(a22)之聚 合物(A11);且 该聚合物(A2)系一具有该构成单位(a11)及该构成单 位(a21),且不具有该构成单位(a12)及该构成单位(a22) 之聚合物(A21)者。 12.如申请专利范围第11项之正型光阻组成物,其中 该聚合物(A11)中,该酸解离性溶解抑制基(II)之该X 系金刚烷基或基。 13.如申请专利范围第11项或第12项之正型光阻组成 物,其中该聚合物(A11)系进而具有由(-甲基)苯乙 烯所衍生之构成单位(a3)。 14.如申请专利范围第9项之正型光阻组成物,其中 该聚合物(A1)系一具有该构成单位(a11)、由具有醇 性羟基之(-低级烷基)丙烯酸酯衍生之构成单位( a12)、该构成单位(a11)之羟基之氢原子以酸解离性 溶解抑制基进行取代所成之构成单位(a21)及/或该 构成单位(a12)之醇性羟基之氢原子以酸解离性溶 解抑制基进行取代所成之构成单位(a22)之聚合物(A 12);且 该聚合物(A2)系一具有该构成单位(a11)及该构成单 位(a21),且不具有该构成单位(a12)及该构成单位(a22) 之聚合物(A21)者。 15.如申请专利范围第14项之正型光阻组成物,其中 在该聚合物(A12)中,该酸解离性溶解抑制基(II)系1- 烷氧基烷基者。 16.如申请专利范围第1项之正型光阻组成物,其中 系光罩制造用。 17.一种光阻图型形成方法,其特征系含有使用如申 请专利范围第1~16项中任一项之正型光阻组成物, 并于基板上形成光阻膜之步骤,将前述光阻膜选择 性地曝光之步骤,将前述光阻膜进行硷显像并形成 光阻图型之步骤。 18.一种光罩制造用正型光阻组成物,其特征系含有 :(A)具有(a1)硷可溶性之构成单位及(a2)具有酸解离 性溶解抑制基之构成单位,且藉由酸作用而硷可溶 性可增大之树脂成分,以及(B)藉由曝光可发生酸之 酸产生剂成分, 前述构成单位(a1)系具有由(-甲基)羟基苯乙烯所 衍生之构成单位(a11),且 前述构成单位(a2)系具有下述一般式(II) 【化3】 [式中,X为脂肪族环状基、芳香族环状烃基或碳数1 ~5之烷基,R1为碳数1~5之烷基,或者X及R1各自独立地 为碳数1~5之伸烷基且X之末端及R1之末端系可键结 者,R2为碳数1~5之烷基或氢原子]表示之酸解离性溶 解抑制基(II),以及选自链状三级烷氧基羰基、链 状三级烷基、及链状三级烷氧基羰基烷基所成群 之至少一种之酸解离性溶解抑制基(III),且该树脂 成分(A)系含有一具有该构成单位(a1)及该构成单位 (a2),且具有该酸解离性溶解抑制基(II)而不具有该 酸解离性溶解抑制基(III)以作为酸解离性溶解抑 制基之聚合物(A1),以及含有一具有该构成单位(a1) 及该构成单位(a2),且具有该酸解离性溶解抑制基( III)而不具有该酸解离性溶解抑制基(II)以作为酸 解离性溶解抑制基之聚合物(A2)者。 19.如申请专利范围第18项之光罩制造用正型光阻 组成物,其中该酸解离性溶解抑制基(II)系下述一 般式(II-1) 【化4】 [式中,Y为脂肪族环状基、芳香族环状烃基或碳数1 ~5之烷基,R1为碳数1~5之烷基]表示之酸解离性溶解 抑制基。 20.如申请专利范围第18项之光罩制造用正型光阻 组成物,其中该酸解离性溶解抑制基(III)系链状三 级烷氧基羰基。 21.如申请专利范围第18项之光罩制造用正型光阻 组成物,其中该构成单位(a1)系进而具有由具有醇 性羟基之(-低级烷基)丙烯酸酯衍生之构成单位( a12)。 22.如申请专利范围第21项之光罩制造用正型光阻 组成物,其中该构成单位(a12)系由具有醇性羟基之 含脂肪族多环状基之(-低级烷基)丙烯酸酯衍生 之构成单位。 23.如申请专利范围第18项之光罩制造用正型光阻 组成物,其中该构成单位(a2)系含有该构成单位(a11) 之羟基之氢原子以酸解离性溶解抑制基进行取代 所成之构成单位(a21)。 24.如申请专利范围第21项之光罩制造用正型光阻 组成物,其中该构成单位(a2)系含有该构成单位(a12) 之醇性羟基之氢原子以酸解离性溶解抑制基进行 取代所成之构成单位(a22)。 25.如申请专利范围第18项之光罩制造用正型光阻 组成物,其中该树脂成分(A)系含有具有该构成单位 (a11)、由具有醇性羟基之(-低级烷基)丙烯酸酯 衍生之构成单位(a12)、该构成单位(a11)之羟基之氢 原子以酸解离性溶解抑制基进行取代所成之构成 单位(a21)及/或该构成单位(a12)之醇性羟基之氢原 子以酸解离性溶解抑制基进行取代所成之构成单 位(a22)之共聚物者。 26.如申请专利范围第18项之光罩制造用正型光阻 组成物,其中该聚合物(A1)以及聚合物(A2)之含量比( 质量比)系10/90~90/10之范围内者。 27.如申请专利范围第18项之光罩制造用正型光阻 组成物,其中该聚合物(A1)系一具有该构成单位(a11) 及该构成单位(a11)之羟基之氢原子以酸解离性溶 解抑制基进行取代所成之构成单位(a21),且不具有 由具有醇性羟基之(-低级烷基)丙烯酸酯衍生之 构成单位(a12)及该构成单位(a12)之醇性羟基之氢原 子以酸解离性溶解抑制基进行取代所成之构成单 位(a22)之聚合物(A11);且 该聚合物(A2)系一具有该构成单位(a11)及该构成单 位(a21),且不具有该构成单位(a12)及该构成单位(a22) 之聚合物(A21)者。 28.如申请专利范围第27项之光罩制造用正型光阻 组成物,其中该聚合物(A11)中,该酸解离性溶解抑制 基(II)之该X系金刚烷基或基。 29.如申请专利范围第27项之光罩制造用正型光阻 组成物,其中该聚合物(A11)系进而具有由(-甲基) 苯乙烯所衍生之构成单位(a3)。 30.如申请专利范围第18项之光罩制造用正型光阻 组成物,其中该聚合物(A1)系一具有该构成单位(a11) 、由具有醇性羟基之(-低级烷基)丙烯酸酯衍生 之构成单位(a12)、该构成单位(a11)之羟基之氢原子 以酸解离性溶解抑制基进行取代所成之构成单位( a21)及/或该构成单位(a12)之醇性羟基之氢原子以酸 解离性溶解抑制基进行取代所成之构成单位(a22) 之聚合物(A12);且 该聚合物(A2)系一具有该构成单位(a11)及该构成单 位(a21),且不具有该构成单位(a12)及该构成单位(a22) 之聚合物(A21)者。 31.如申请专利范围第30项之光罩制造用正型光阻 组成物,其中在该聚合物(A12)中,该酸解离性溶解抑 制基(II)系1-烷氧基烷基者。 32.如申请专利范围第18项之光罩制造用正型光阻 组成物,其中进而含有含氮有机化合物(D)。 33.一种光阻图型形成方法,其特征系于有氧化铬层 层合之玻璃基板上,使用如申请专利范围第18~32项 中任一项之光罩制造用正型光阻组成物形成光阻 膜,并对于该光阻膜选择性地进行曝光处理后,进 行加热处理(曝光后烘烤,post exposure bake),再进行显 像处理,而形成光阻图型者。 34.一种正型光阻组成物,其系含有:(A)具有(a1)硷可 溶性之构成单位及(a2)具有酸解离性溶解抑制基之 构成单位,且藉由酸作用而硷可溶性可增大之树脂 成分,以及(B)藉由曝光可发生酸之酸产生剂成分之 正型光阻组成物, 其特征为前述构成单位(a1)系具有由(-甲基)羟基 苯乙烯所衍生之构成单位(a11),以及具有由具有醇 性羟基之(-低级烷基)丙烯酸酯衍生之构成单位( a12), 前述构成单位(a2)系具有该构成单位(a11)之羟基之 氢原子以酸解离性溶解抑制基进行取代所成之构 成单位(a21)及/或该构成单位(a12)之醇性羟基之氢 原子以酸解离性溶解抑制基进行取代所成之构成 单位(a22),且该酸解离性溶解抑制基系含有下述一 般式(II) 【化5】 [式中,X为脂肪族环状基、芳香族环状烃基或碳数1 ~5之烷基,R1为碳数1~5之烷基,或者X及R1各自独立地 为碳数1~5之伸烷基且X之末端及R1之末端系可键结 者,R2为碳数1~5之烷基或氢原子]表示之酸解离性溶 解抑制基(II),以及选自链状三级烷氧基羰基、链 状三级烷基、及链状三级烷氧基羰基烷基所成群 之至少一种之酸解离性溶解抑制基(III)者。 35.如申请专利范围第34项之正型光阻组成物,其中 该构成单位(a12)系由具有醇性羟基之含脂肪族多 环状基之(-低级烷基)丙烯酸酯衍生之构成单位 。 36.如申请专利范围第34项之正型光阻组成物,其中 该酸解离性溶解抑制基(II)系下述一般式(II-1) 【化6】 [式中,Y为脂肪族环状基、芳香族环状烃基或碳数1 ~5之烷基,R1为碳数1~5之烷基]表示之酸解离性溶解 抑制基。 37.如申请专利范围第34项之正型光阻组成物,其中 该酸解离性溶解抑制基(III)系链状三级烷氧基羰 基。 38.如申请专利范围第34项之正型光阻组成物,其中 该树脂成分(A)系含有一具有该构成单位(a11)、该 构成单位(a12)、该构成单位(a21)及/或该构成单位(a 22),且具有该酸解离性溶解抑制基(II)而不具有该 酸解离性溶解抑制基(III)以作为酸解离性溶解抑 制基之聚合物(A1),以及 含有一具有该构成单位(a11)及该构成单位(a21),不 具有该构成单位(a12)及该构成单位(a22),且具有该 酸解离性溶解抑制基(III)而不具有该酸解离性溶 解抑制基(II)以作为酸解离性溶解抑制基之聚合物 (A2)者。 39.如申请专利范围第38项之正型光阻组成物,其中 该聚合物(A1)以及该聚合物(A2)之含量比(质量比)系 10/90~90/10之范围内者。 40.如申请专利范围第38项之正型光阻组成物,其中 相对于构成该聚合物(A2)之全构成单位之合计,该 构成单位(a21)之比例系30~50莫尔%者。 41.如申请专利范围第34项之正型光阻组成物,其中 进而含有含氮有机化合物(D)。 42.一种光阻图型形成方法,其特征系含有使用如申 请专利范围第34~41项中任一项之正型光阻组成物, 并于基板上形成光阻膜之步骤,将前述光阻膜选择 性地曝光之步骤,将前述光阻膜进行硷显像并形成 光阻图型之步骤。 |
