| 主权项 |
1.一种具有透明导电膜为最外层之抗反射导电多 层薄膜,此抗反射多层薄膜具有五层结构且在一基 板上形成,此5层结构包含由远离基板方向算起之 第一层、第二层、第三层、第四层及第五层多层 结构; 该第一层在该第二层上,其与该第二层相较下,系 具有较高折射率之氧化物,且实体厚度为10-40nm; 该第二层位在该第三层上,其与该第三层相较下, 系具有较低折射率之氧化物,且实体厚度为30-50nm; 该第三层位在该第四层上,其与该第四层相较下, 系具有较高折射率之氧化物,且实体厚度为30-80nm; 该第四层位在该第五层上,其与该第五层相较下, 系具有较低折射率之氧化物,且实体厚度为20-30nm; 该第五层位在该基板上,其与该基板相较下,系具 有较高折射率之氧化物,且实体厚度为10-30nm。 2.如申请专利范围第1项之具有透明导电膜为最外 层之抗反射导电多层薄膜,其中该基板为塑胶板, 其材质为PC、PMMA、PET、ARTON等。 3.如申请专利范围第1项之具有透明导电膜为最外 层之抗反射导电多层薄膜,其中该基板为玻璃。 4.如申请专利范围第1项之具有透明导电膜为最外 层之抗反射导电多层薄膜,其中第一层材质为ITO; 第二及第四层材质为SiO2;第三及第五层材质为NbO 。 5.如申请专利范围第1项之具有透明导电膜为最外 层之抗反射导电多层薄膜,其中第一层材质可为ITO , SnO2, ZnO, [n2O3, SnO2:F, SnO2:Sb, ZnO:Al, In2O3:ZnO, SnO2:ZnO 及In2O3:MgO。 6.如申请专利范围第1项之具有透明导电膜为最外 层之抗反射导电多层薄膜,其中第二及第四层材质 可为SiO2及SiAlO2。 7.如申请专利范围第1项之具有透明导电膜为最外 层之抗反射导电多层薄膜,其中第三及第五层材质 可为ITO, Ta2O5, NbO, TiO, Al2O3, SiN, SiNO, AlN, AlNO,及其 混合物。 8.如申请专利范围第1项之具有透明导电膜为最外 层之抗反射导电多层薄膜,其中第五层材质可为TaO , NbO, TiO, Al2O3, SiN, SiNO, AlN, AlNO,及其混合物。 9.如申请专利范围第1项之具有透明导电膜为最外 层之抗反射导电多层薄膜,其中第一层为一个氧化 物层,折射率为1.9-2.1;第二及第四层为一个氧化物 层,折射率为1.46-1.5;第三及第五层为一个氧化物层 ,折射率为2.1-2.3。 10.如申请专利范围第1项之具有透明导电膜为最外 层之抗反射导电多层薄膜,其中所述多数层系由批 次式或是连续式生产之蒸镀或是溅镀系统制成。 11.如申请专利范围第1项之具有透明导电膜为最外 层之抗反射导电多层薄膜,可应用于LCD, CRT及触控 面板等显示器相关行业。 图式简单说明: 第一图显示本发明一较佳实施例之膜层结构。 第二图为本发明之薄膜系统之反射率光谱。 |
