| 主权项 |
1.一种用以于一预定反应空间内产生电浆的电浆 源线圈,包括: m个单元线圈,各该单元线圈具有n匝,该些单元线圈 系自一线圈套管延伸出去,并以螺旋状之方式环绕 该线圈套管,该线圈套管位于该电浆源线圈之中心 并有一预定半径,其中,m为一大于或等于2之整数, 且n为一正实数。 2.如申请专利范围第1项所述之电浆源线圈,其中该 线圈套管及各该单元线圈之材质为相同之导电材 料。 3.如申请专利范围第2项所述之电浆源线圈,其中各 该单元线圈与该线圈套管之材质为铜。 4.如申请专利范围第1项所述之电浆源线圈,其中该 线圈套管之形状系选自于一圆形、一圆环形、一 多边形及一中空多边形所组成之族群中任一种。 5.如申请专利范围第1项所述之电浆源线圈,其中该 每一单元线圈之形状系选自于一圆形、一圆环形 、一半圆形、一多边形及一中空多边形所组成之 族群中任一种。 6.如申请专利范围第1项所述之电浆源线圈,其中当 各该单元线圈及该线圈套管之间的半径距离增加 时,各该单元线圈之在半径方向上之相邻二部分结 构之间的间隔减小。 7.如申请专利范围第6项所述之电浆源线圈,其中当 各该单元线圈及该线圈套管之间的半径距离增加 时,各该单元线圈之截面积减小。 8.如申请专利范围第1项所述之电浆源线圈,其中当 各该单元线圈及该线圈套管之中心之间的半径距 离增加时,各该单元线圈之截面积系减小。 9.一种电浆反应器,包括: 一反应室,具有复数个外壁及一圆顶,该些外壁及 该圆顶系定义一反应空间; 一晶圆支撑物,系设置于该反应室的下部,用以支 撑复数个半导体晶圆; 一电浆源线圈,系设置于该圆顶上,该电浆源线圈 包括m个单元线圈,各该单元线圈具有n匝,该些单元 线圈系延伸出一线圈套管,并以一螺旋状之方式环 绕该线圈套管,该线圈套管位于该电浆源线圈之中 心,并有一预定半径,m为一大于或等于2之整数,且n 为一正实数; 一支持杆,设置于该线圈套管的一特定中心区域; 以及 一感应线圈,系与该支持杆连接,用以供电给该电 浆源线圈。 10.如申请专利范围第9项所述之电浆反应器,其中 该线圈套管、该支持杆及各该单元线圈之材质为 相同之导电材料。 11.如申请专利范围第10项所述之电浆反应器,其中 各该单元线圈、该线圈套管及该支持杆之材质为 铜。 12.如申请专利范围第9项所述之电浆反应器,其中 该线圈套管之形状系选自于一圆形、一圆环形、 一多边形及一中空多边形所组成之族群中任一种 。 13.如申请专利范围第9项所述之电浆反应器,其中 各该单元线圈之形状系选自于一圆形、一圆环形 、一半圆形、一多边形及一中空多边形所组成之 族群中任一种。 14.如申请专利范围第9项所述之电浆反应器,其中 当各该单元线圈及该线圈套管之间的半径距离增 加时,各该单元线圈之在半径方向上之相邻二部分 结构之间的间隔减小。 15.如申请专利范围第14项所述之电浆反应器,其中 当各该单元线圈及该线圈套管之间的半径距离增 加时,各该单元线圈之截面积减小。 16.如申请专利范围第9项所述之电浆反应器,其中 当各该单元线圈及该线圈套管之中心之间的半径 距离增加时,各该单元线圈之截面积系减小。 17.如申请专利范围第9项所述之电浆反应器,其中 该圆顶之材质为氧化铝。 18.如申请专利范围第9项所述之电浆反应器,其中 该圆顶包括: 一下圆顶,系暴露于该反应空间中;以及 一上圆顶,系设置于该下圆顶之上,该上圆顶之介 电常数与该下圆顶之介电常数不同。 19.一种用以于一反应空间内产生电浆之电浆源线 圈,包括: 一套管柱,具有一上表面及一下表面;以及 m个单元线圈,系在一与该上表面共平面之第一平 面上偏离出该套管柱,并以一螺旋状之方式沿着该 上表面之周边环绕该套管柱,当该二个或二个以上 单元线圈达到一特定半径时,该些单元线圈系延伸 在一与该下表面共平面之第二平面上,并维持该特 定半径。 20.如申请专利范围第19项所述之电浆源线圈,更包 括一绝缘柱,该绝缘柱系在该上表面与该下表面之 间围绕该套管柱,且该些单元线圈环绕该绝缘柱。 21.如申请专利范围第19项所述之电浆源线圈,其中m 为一大于或是等于2之整数,各该单元线圈有n匝,且 n为一正实数。 22.一种电浆反应器,包括: 一反应室,系具有复数个外壁及一圆顶,该些外壁 及该圆顶系定义一反应空间; 一晶圆支撑物,设置于该反应室的下部,用以支撑 复数个半导体晶圆; 一电浆源线圈,系设置于该圆顶上,该电浆源线圈 包括: 一套管柱,具有一上表面及一下表面;及 m个单元线圈,系在一与该上表面共平面之第一平 面上偏离出该套管柱,并以一螺旋状之方式沿着该 上表面之周边环绕该套管柱,当该二个或二个以上 单元线圈达到一特定半径时,该些单元线圈系延伸 在一与该下表面共平面之第二平面上,并维持该特 定半径;以及 一感应电源供应器,系与该套管柱连接,用以供电 给该些单元线圈。 23.如申请专利范围第22项所述之电浆反应器,更包 括一绝缘柱,该绝缘柱系在该上表面与该下表面之 间围绕该套管柱,且该些单元线圈环绕该绝缘柱。 24.如申请专利范围第22项所述之电浆反应器,其中m 为一大于或是等于2之整数,各该单元线圈具有n匝, 该n匝与该上表面共平面,且n为一正实数。 25.一种用以于一反应空间内产生电浆之电浆源线 圈,包括: 一线圈套管,用以接收一电源;以及 m个单元线圈,各该单元线圈具有n匝,该些单元线圈 系偏离出该线圈套管,并以一波浪状之方式环绕该 线圈套管,其中,m为一大于或等于2之整数,且n为一 正实数。 26.如申请专利范围第25所述之电浆源线圈,其中该 些单位线圈系以一螺旋状之方式环绕该线圈套管 。 27.一种用以于一反应空间内产生电浆之电浆源线 圈,包括: 一第一电浆源区,具有m个第一单元线圈,该些第一 单元线圈系偏离出一线圈套管而接收一电源,并以 一螺旋状之方式环绕该线圈套管;以及 一第二电浆源区,具有m个第二单元线圈,该些第二 单元线圈系延伸出该些第一单元线圈,并以一波浪 状之方式环绕该第一电浆源区,其中,m为一大于或 等于2之整数。 28.一种用以于一反应空间内产生电浆之电浆源线 圈,包括: 一套管柱,具有一上表面及一下表面;以及 m个单元线圈,系在一与该上表面共平面之第一平 面上偏离出该套管柱,并以一波浪状之方式环绕该 套管柱,当该些单元线圈达到一特定半径时,该些 单元线圈系延伸在一与该下表面共平面之第二平 面上,并维持该特定半径。 29.如申请专利范围第28项所述之电浆源线圈,更包 括一绝缘柱,该绝缘柱系在该上表面与该下表面之 间围绕该套管柱,且该些单元线圈环绕该绝缘柱。 30.如申请专利范围第29项所述之电浆源线圈,其中m 为一大于或等于2之整数,各该单元线圈具有n匝,该 n匝系与该上表面共平面,且n为一正实数。 31.一种电浆反应器,包括: 一反应室,具有复数个外壁及一圆顶,该些外壁及 该圆顶系定义一反应空间; 一晶圆支撑物,设置于该反应室之下部,用以支撑 复数个半导体晶圆; 一线圈套管及一电浆源线圈,该电浆源线圈包括m 个单元线圈,该些单元线圈偏离出该线圈套管,并 环绕该线圈套管,其中,m为一大于或等于2之整数; 以及 一感应电源供应器,用以经由该线圈套管供电给该 些单元线圈。 32.一种电浆反应器,包括: 一反应室,具有复数个外壁及一圆顶,该些外壁及 该圆顶系定义一反应空间; 一晶圆支撑物,设置于该反应室之下部,用以支撑 复数个半导体晶圆; 一电浆源线圈,包括: 一第一电浆源区,具有m个第一单元线圈,该些第一 单元线圈系偏离出一线圈套管,并以一螺旋状之方 式环绕该线圈套管;及 一第二电浆源区,具有m个第二单元线圈,该些第二 单元线圈系由该些第一单元线圈延伸,并以一波浪 状之方式环绕该第一电浆源区,其中,m为一大于或 等于2之整数;以及 一感应电源供应器,用以经由该线圈套管供电给该 些第一单元线圈及该些第二单元线圈。 33.一种电浆反应器,包括: 一反应室,具有复数个外壁及一圆顶,该些外壁及 该圆顶系定义一反应空间; 一晶圆支撑物,设置于该反应室之下部,用以支撑 复数个半导体晶圆; 一电浆源线圈,包括: 一套管柱,具有一上表面及一下表面;及 m个单元线圈,系在一与该上表面共平面之第一平 面上偏离出该套管柱,并以一波浪状之方式环绕该 套管柱,当该些单元线圈达到一特定半径时,该些 单元线圈系延伸在一与该下表面共平面之第二平 面上,并维持该特定半径;以及 一感应电源供应器,用以经由该套管柱供电给该些 单元线圈。 34.如申请专利范围第33项所述之电浆反应器,更包 括一绝缘柱,该绝缘柱系在该上表面与该下表面之 间围绕该套管柱,且该些单元线圈环绕该绝缘柱。 35.如申请专利范围第33项所述之电浆反应器,其中m 为一大于或等于2之整数,各该单元线圈有n匝,且n 为一正实数。 36.一种用以于一反应空间内产生电浆之电浆源线 圈,包括: 一导电套管,设置于该电浆源线圈之中心,用以直 接地接收一来自一电源供应器之电源;以及 一或多个线圈线路,系偏离出该导电套管,并环绕 该导电套管,其中,各该线圈线路之相邻二部分结 构之电流的方向相反。 37.如申请专利范围第36项所述之电浆源线圈,其中 该些线圈线路系偏离出该导电套管,顺时针方向之 该些线圈线路和逆时针方向之该些线圈线路系交 错排列。 38.如申请专利范围第37项所述之电浆源线圈,其中 该导电套管为一风扇叶片状。 39.如申请专利范围第37项所述之电浆源线圈,其中 该些线圈线路系偏离该导电套管,并对称于该导电 套管。 40.如申请专利范围第37项所述之电浆源线圈,其中 该些线圈线路系偏离该导电套管之相邻二部分结 构。 41.如申请专利范围第36项所述之电浆源线圈,更包 括一第一接地线及一第二接地线,该第一接地线与 第二接地线系以一预定间距与该导电套管隔开,且 对称于该导电套管。 42.如申请专利范围第41项所述之电浆源线圈,其中 该些线圈线路包括: 一第一线圈线路,系偏离出该导电套管之一第一位 置,且以一第一风扇叶片状之方式环绕该第一接地 线;以及 一第二线圈线路,系偏离出该导电套管之一第二位 置,且以一第二风扇叶片状之方式环绕该第二接地 线,该第二位置系与该第一位置相对。 43.如申请专利范围第41项所述之电浆源线圈,其中 该些线圈线路包括: 一第一线圈线路,系偏离出该导电套管之一第一位 置,且以一第一风扇叶片状之方式环绕该第一接地 线;以及 一第二线圈线路,系偏离出该导电套管之一第二位 置,且以一第二风扇叶片状之方式环绕该第二接地 线,该第二位置系与该第一位置相邻。 44.如申请专利范围第36项所述之电浆源线圈,更包 括一第一接地线、一第二接地线、一第三接地线 及一第四接地线,该第一接地线、该第二接地线、 该第三接地线及该第四接地线系以一预定间距与 该导电套管隔开,且对称于该导电套管。 45.如申请专利范围第44项所述之电浆源线圈,其中 该些线圈线路包括: 一第一线圈线路,系偏离出该导电套管之一第一位 置,且以一第一风扇叶片状之方式环绕该第一接地 线; 一第二线圈线路,系偏离出该导电套管之一第二位 置,且以一第二风扇叶片状之方式环绕该第二接地 线; 一第三线圈线路,系偏离出该导电套管之一第三位 置,且以一第三风扇叶片状之方式环绕该第三接地 线;以及 一第四线圈线路,系偏离出该导电套管之一第四位 置,且以一第四风扇叶片状之方式环绕该第四接地 线。 46.如申请专利范围第44项所述之电浆源线圈,其中 该些线圈线路包括: 一第一线圈线路,系偏离出该导电套管之一第一位 置,以一第一螺旋状之方式环绕该第一接地线; 一第二线圈线路,系偏离出该导电套管之一第二位 置,且以一第二螺旋状之方式环绕该第二接地线; 一第三线圈线路,系偏离出该导电套管之一第三位 置,且以一第三螺旋状之方式环绕该第三接地线; 以及 一第四线圈线路,系偏离出该导电套管之一第四位 置,且以一第四螺旋状之方式环绕该第四接地线。 47.如申请专利范围第36项所述之电浆源线圈,其中 部分之该些线圈线路系以一弹簧状之方式环绕该 导电套管,并位于一半径较小之第一区域; 另一部分之该线圈线路系以一螺旋状之方式环绕 该第一区域,并位于一半径较大之一第二区域内。 48.一种用以于一反应空间内产生电浆之电浆源线 圈,包括: 复数个导电套管,系以一固定间距彼此相互隔开, 用以直接接收一来自一电源供应器之电源;以及 复数个线圈线路,系各偏离出对应之该导电套管, 且以一螺旋状之方式环绕该导电套管。 49.如申请专利范围第48项所述之电浆源线圈,其中 该些线圈线路系以相同的方向环绕该些导电套管 。 50.如申请专利范围第48项所述之电浆源线圈,其中 只有彼此相向之该些线圈线路以相同的方向围绕 。 51.一种电浆反应器,包括: 一反应室,具有复数个外壁及一圆顶,该些外壁及 该圆顶系定义一反应空间; 一晶圆支撑物,设置于该反应室之下部,用以支撑 复数个半导体晶圆; 一电浆源线圈,包括: 一导电套管,设置于该电浆源线圈之中心,用以直 接地接收一来自一电源供应器之电源;及 一或多个线圈线路,系偏离出该导电套管,并环绕 该导电套管,其中,各该线圈线路之相邻二部分结 构之电流的方向相反;以及 一感应电源供应器,用以与该导电套管连接,用以 供电给该些线圈线路。 52.一种用以于一反应空间内产生电浆之电浆源线 圈,包括: 一线圈套管,设置于一第一区域之中心,该第一区 域之中心系对应于该反应空间之一中心部,且与该 反应空间相隔一第一距离; 一第一线圈部,具有二个或二个以上之第一单元线 圈,该些第一单元线圈系偏离出该第一区域之该线 圈套管,且以一第一螺旋状之方式环绕该线圈套管 ;以及 一第二线圈部,具有两个或二个以上之第二单元线 圈,该些第二单元线圈系延伸出该第一单元线圈, 且在一第二区域中以一第二螺旋状之方式环绕该 第一区域,该第二区域系对应于该反应空间之一边 缘,且环绕该第一区域,该第二区域与该反应空间 相隔一第二距离,其中,该第二距离系小于该第一 距离。 53.一种用以于一反应空间内产生电浆之电浆源线 圈,包括: 一线圈套管,设置于一第一区域之中心,该第一区 域之中心系对应于该反应空间之一中心部,且与该 反应空间相隔一第一距离; 一第一线圈部,具有二个或二个以上之第一单元线 圈,该些第一单元线圈系偏离出该第一区域之该线 圈套管,且以一第一螺旋状之方式环绕该线圈套管 ;以及 一第二线圈部,具有二个或二个以上之第二单元线 圈,该些第二单元线圈系在一第二区域中以一第二 螺旋状之方式环绕该第一区域,该第二区域系对应 于该反应空间之一边缘,且与该反应空间相隔一第 二距离;以及 一第三线圈部,具有二个或二个以上之第三单元线 圈,该些第三单元线圈系在一第三区域中,以一垂 直方向由该些第一单元线圈延伸至该些第二单元 线圈,该第三区域介于该第一区域和该第二区域之 间,并由该电浆源线圈之倾斜侧表面所组成,其中, 该第二距离系小于该第一距离。 54.一种电浆反应器,包括: 一反应室,具有复数个外壁及一圆顶,该些外壁及 该圆顶系定义一反应空间; 一晶圆支撑物,设置于该反应室之下部,用以支撑 复数个半导体晶圆; 一电浆源线圈,包括: 一线圈套管,设置于一第一区域之中心,该第一区 域之中心系对应于该反应空间之一中心部,且与该 反应空间相隔一第一距离; 一第一线圈部,具有二个或二个以上之第一单元线 圈,该些第一单元线圈系偏离出该第一区域之该线 圈套管,且以一第一螺旋状之方式环绕该线圈套管 ;及 一第二线圈部,具有两个或二个以上之第二单元线 圈,该些第二单元线圈系延伸出该第一单元线圈, 且在一第二区域中以一第二螺旋状之方式环绕该 第一区域,该第二区域系对应于该反应空间之一边 缘,且环绕该第一区域,该第二区域与该反应空间 相隔一第二距离,其中,该第二距离系小于该第一 距离;以及 一感应电源供应器,用以经由该线圈套管供电给该 些第一单元线圈及该些第二单元线圈。 55.一种电浆反应器,包括: 一反应室,具有复数个外壁及一圆顶,该些外壁及 该圆顶系定义一反应空间; 一晶圆支撑物,设置于该反应室之下部,用以支撑 复数个半导体晶圆; 一电浆源线圈,包括: 一线圈套管,设置于一第一区域之中心,该第一区 域之中心系对应于该反应空间之一中心部,且与该 反应空间相隔一第一距离; 一第一线圈部,具有二个或二个以上之第一单元线 圈,该些第一单元线圈系偏离出该第一区域之该线 圈套管,且以一第一螺旋状之方式环绕该线圈套管 ;以及 一第二线圈部,具有二个或二个以上之第二单元线 圈,该些第二单元线圈系在一第二区域中以一第二 螺旋状之方式环绕该第一区域,该第二区域系对应 于该反应空间之一边缘,且与该反应空间相隔一第 二距离;及 一第三线圈部,具有二个或二个以上之第三单元线 圈,该些第三单元线圈系在一第三区域中,以一垂 直方向由该些第一单元线圈延伸至该些第二单元 线圈,该第三区域介于该第一区域和该第二区域之 间,并由该电浆源线圈之倾斜侧表面所组成,其中, 该第二距离系小于该第一距离;以及 一感应电源供应器,用以经由该线圈套管供电给该 些第一单元线圈、该些第二单元线圈及该些第三 单元线圈。外壁。 56.一种电浆反应器,包括: 一反应室,具有复数个外壁一圆顶,该些外壁及该 圆顶系定义一反应空间,该圆顶具有一突出物,该 突出物系在一第一区域中朝向该反应空间,该第一 区域系对应于该反应空间之一中心部,该第一区域 的厚度大于一环绕该第一区域之第二区域的厚度; 一晶圆支撑物,设置于该反应室的下部,用以支撑 复数个半导体晶圆; 一电浆源线圈,包括: 一线圈套管,系设置于该圆顶之该第一区域中;及 二个或二个以上之单元线圈,系偏离出该圆顶之该 第二区域之该线圈套管,并以一螺旋状之方式环绕 该线圈套管;以及 一感应电源供应器,用以经由该线圈套管供电给该 单元线圈。 57.一种电浆反应器,包括: 一反应室,具有复数个外壁一圆顶,该些外壁及该 圆顶系定义一反应空间,该圆顶具有一突出物,该 突出物系在一第一区域中以该反应空间之一反方 向朝向该圆顶之外,该第一区域系对应于该反应空 间之一中心部,该第一区域的厚度大于一环绕该第 一区域之第二区域的厚度; 一晶圆支撑物,设置于该反应室的下部,用以支撑 复数个半导体晶圆; 一电浆源线圈,包括: 一线圈套管,系设置于该圆顶之该第一区域中;及 二个或二个以上之单元线圈,系偏离出该圆顶之该 第二区域之该线圈套管,并以一螺旋状之方式环绕 该线圈套管;以及 一感应电源供应器,用以经由该线圈套管供电给该 单元线圈。 58.一种电浆反应器,包括: 一反应室,具有复数个外壁一圆顶,该些外壁及该 圆顶系定义一反应空间,该圆顶具有一突出物,该 突出物系在一区域中以该反应空间之一反方向朝 向该圆顶之外; 一晶圆支撑物,设置于该反应室的下部,用以支撑 复数个半导体晶圆; 一线圈套管,系设置于该圆顶之该区域的中心,该 圆顶之该区域的中心系对应于该反应空间之中心; 一电浆源线圈,包括: 复数个第一单元线圈,系在一第一区域中延伸出该 线圈套管,并以一直立方向环绕该突出物,该第一 区域系环绕该线圈套管;及 复数个第二单元线圈,系在一第二区域中偏离出第 一单元线圈,且设置于该圆顶上,以在一水平方向 环绕该第一区域,该第二区域系环绕该第一区域; 以及 一感应电源供应器,用以经由该线圈套管供电给该 些第一单元线圈及该些第二单元线圈。 图式简单说明: 第1图显示传统具有电浆源线圈半导体制造电浆装 置的电浆密度ni分布和临界尺寸(CD)的改变速率( CD); 第2图为依照本发明一较佳实施例电浆源线圈之平 面图; 第3图为包括第2图中绘示的电浆源线圈之电浆反 应器剖面图; 第4A图为依照本发明另一较佳实施例电浆源线圈 之平面图; 第4B图显示第4A图中电浆源线圈内之单元线圈的半 径与线圈间隔的关系图; 第5A图为依照本发明之另一较佳实施例电浆源线 圈之平面图; 第5B图为图5A中电浆源线圈的线圈截面积与半径的 关系图; 第5C图是图5A中电浆源线圈内之单元线圈半径与线 圈间隔的关系图; 第6A图为依照本发明之另一较佳实施例电浆源线 圈之平面图; 第6B图为第6A图中电浆源线圈截面积与半径的关系 图; 第6C图为第6A图中电浆源线圈内之单元线圈的半径 与线圈间隔的关系图; 第7A图至第7K图为描述依照本发明电浆源线圈之线 圈套管形状的平面图; 第8A图至第8E图显示本发明电浆源线圈之单元线圈 的不同截面形状; 第9图与第10图为依照本发明另一较佳实施例电浆 源线圈之平面图; 第11图为第3图中电浆反应器之圆顶剖面图; 第12图至第45图为依照本发明较佳实施例电浆反应 器之电浆源线圈以及圆顶的剖面图; 第46图显示依照本发明之另一较佳实施例电浆源 线圈; 第47图为第46图中电浆源线圈之电浆反应器的剖面 图; 第48图为依照本发明另一较佳实施例电浆源线圈 之平面图; 第49图为依照本发明之另一较佳实施例电浆源线 圈之平面图; 第50图为第49图中电浆源线圈之电浆反应器的剖面 图; 第51A图依照本发明另一较佳实施例电浆源线圈之 平面图; 第51B图为第51A图中沿着IB-IB'线的剖面图; 第52图至第67图显示依照本发明另一较佳实施例之 电浆源线圈; 第68图为依照本发明另一较佳实施例电浆反应器 之剖面图; 第69图显示第68图中电浆反应器之电浆源线圈的一 例; 第70图为依照本发明另一较佳实施例电浆反应器 之剖面图 第71图显示第70图中电浆反应器之电浆源线圈的一 例; 第72图为依照本发明另一较佳实施例电浆反应器 之剖面图; 第73图显示第72图中电浆反应器之电浆源线圈之一 例; 第74图为依照本发明另一较佳实施例电浆反应器 之剖面图; 以及 第75图显示第74图中电浆反应器之电浆源线圈之一 例。 |
