| 主权项 |
1.一种切割已释出CMOS-MEMS多计画晶圆的方法,包括 下列步骤: 将该晶圆安置在一真空腔室里的平台上;以及 以一紫外线雷射切割该晶圆。 2.如请求项1之方法,更包括于切割该晶圆时从该真 空腔室外以一唧管吸除碎屑和灰尘。 3.如请求项1之方法,更包括在切割该晶圆前于该晶 圆背面贴附一蓝色胶带。 4.如请求项1之方法,更包括在切割该晶圆时控制该 平台的移动以形成一切割路径。 5.如请求项4之方法,其中该平台以一低于0.5 m/s的 速率移动。 6.如请求项1之方法,其中该紫外线雷射具有一能量 密度大于或等于0.152 mJ/cm2。 7.如请求项1之方法,其中该以一紫外线雷射切割该 晶圆的步骤包括下列步骤: 在该晶圆划出一深沟;以及 从该晶圆的背面沿着该晶圆正面的沟槽折裂该晶 圆。 图式简单说明: 图1系一多计画晶圆上的CMOS-MEMS微结构剖面图; 图2系根据本发明之第一实施例的一多计画晶圆于 切割前的CMOS-MEMS微结构剖面图; 图3系根据本发明之第一实施例于切割一晶圆时的 示意图; 图4系根据本发明之第一实施例的晶圆切割流程; 图5系根据本发明之第二实施例划割一六寸多计画 晶圆的雷射切割系统; 图6系根据本发明之第二实施例的该被划割晶圆正 面的雷射划割沟痕; 图7系根据本发明之第二实施例一晶圆经雷射切割 制程后的示意图; 图8系根据本发明之第二实施例经雷射切割后的该 多计画晶圆上MEMS晶粒的扫瞄式电子显微镜照片; 图9系根据本发明之光阻法的已释出微加工电感器 的扫瞄式电子显微镜照片; 图10系根据本发明之雷射法的已释出加工电感器 的扫瞄式电子显微镜照片; 图11显示在史密斯图上的量测结果S11; 图12显示测得的电感値和频率;以及 图13概括的列出一些以不同程序切割及封装该晶 圆的方法。 |
