| 主权项 |
1.一种用以决定一半导体切割工具(12)之一操作状 况之装置(10),该工具至少具有一状况准则,其包含 第一装置(42,52),其用以以激发辐射照明在一工具 表面(34)上之一第一取样区域; 第一装置(42,52),其用以接收从该第一取样区域发 出之第一取样光线; 一光谱分析器(54),其用以执行该接收到的第一取 样光线之一光谱分析;以及 电脑装置(60),其耦接于该光谱分析器(54),用以在该 第一取样区域,从该第一取样光线之该光谱分析, 决定该工具的该操作状况,该电脑装置在该第一取 样区域使用该半导体切割工具之该操作状况,以决 定两个速度之至少一者,该两个速度为:该半导体 切割工具被操作的速度,以及一半导体相对于该半 导体切割工具之线性移动之速度。 2.如申请专利范围第1项之装置,其中光谱分析器(54 )系一拉曼光谱分析仪,其用以提供该第一取样光 线之拉曼光谱讯息。 3.如申请专利范围第2项之装置,其中拉曼光谱讯息 包含强度、位置、偏极化和拉曼光谱线宽度之至 少其中之一。 4.如申请专利范围第1项之装置,其中该半导体切割 工具(12)之该操作状况包含一群组之状况准则之至 少一个,该群组包括退化,温度,以及因小粒子之污 染。 5.如申请专利范围第1项之装置,其中用于接收之该 第一装置包含一物镜及一光纤,该物镜用于收集从 该第一取样区域发出的第一取样光线。 6.如申请专利范围第1项之装置,进一步包含: 第二装置(40,48),其用以在一工具表面之上,以激发 辐射照明一第二取样区域;以及 第二装置(40,48),其用以接收从该第二取样区域发 出之第二取样光线,并且耦接于用来执行接收到的 该第二取样光线之一光谱分析之该光谱分析器(54) ,其中该电脑装置从该第二取样光线之该光谱分析 ,决定在第二取样区域该半导体切割工具之该操作 状况。 7.一种用以决定一半导体切割工具(12)之一操作状 况之方法,包括下列步骤: 以激发辐射照明在一工具表面上之一第一取样区 域(34); 接收(50)从该第一取样区域发出之第一取样区域光 线; 光谱分析(54)接收到之第一取样区域光线;以及 由该第一取样区域光线之光谱,以一电脑(60)决定 该工具在该第一取样区域之该操作状况,并且回应 之以调整该半导体切割工具之一切割速度。 8.如申请专利范围第7项之方法,进一步包含下列步 骤: 以激发辐射照明在一工具表面上之一第二取样区 域(32); 光谱分析(54)从该第二取样区域发出之第二取样区 域光线;以及 由该第二取样区域光线之光谱,决定(60)该工具在 该第二取样区域之该操作状况。 图式简单说明: 图1是依照本发明的一具体实施例,一切割机器,其 运用一装置之概要图; 图2是依照本发明的一具体实施例,一方法的一流 程图; 图3是依照本发明的另一具体实施例,一方法的一 流程图; 图4是利用图1的机器,显示量测的方块图; 图5是依照本发明的一具体实施例,一钻孔机器,其 运用一装置之概要图;以及 图6是依照本发明的一具体实施例,概要地说明一 研磨机器,其运用一装置。 |
