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Die Erfindung betrifft ein rationelles Verfahren zur selektiven Entspiegelung einer Halbleiteroberfläche, die Bestandteil von integrierten Schaltungen ist. Die Entspiegelung beruht auf Interferenzerscheinungen, z. B. einer einfachen Schicht oder einem Schichtsystem, das beispielsweise aus einer Oxidschicht und einer überlagerten Siliziumnitridschicht besteht, wobei die Siliziumnitridschicht in einer frühen Phase der Herstellung der integrierten Schaltung als Schutzschicht, z. B. als so genannter "silicide block layer", abgeschieden wird und auch als Ätzstoppschicht dient.
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