磁性随机存取存储器、磁性单元、及切换记忆状态的方法

摘要

一种磁性隧道结(MTJ)存储器阵列，其具有一个磁性稳定的自由层，该自由层可以用最少的能量输入从一种记忆状态切换到另一种记忆状态。该存储器阵列包括一个MTJ单元，该单元具有一个反平行耦合的自由层。一个导电字线通过该自由层，使得通过导电字线的电流感应出一个磁场，该磁场作用于自由层的反平行耦合层上，使它们的磁化旋转，并同时保持相互反平行。

主权项

1.一种在磁性随机存取存储器阵列中使用的磁性单元，包括：一个固定的铁磁性层，具有固定于一个第一方向的磁化；一个自由层结构，包括每一层具有与该第一方向平行的易磁化轴的第一和第二铁磁性层，以及处于第一和第二铁磁性层之间的非磁性导电耦合层，该第一和第二铁磁性层跨过该耦合层而反铁磁性地耦合；一个非磁性分隔层，将该固定层和自由层结构分隔开；以及第一及第二电流导线，沿着相互垂直的方向与该耦合层电连接。