动态随机存取存储单元及其制造方法

摘要

本发明公开了一种动态随机存取存储单元及其制造方法。动态随机存取存储单元的沟槽式电容器的制造方法是在一基底上形成一沟槽。而后，在沟槽表面上形成第一电容介电层，接下去再在沟槽内形成一导电层。然后，在基底表面上形成一第二导电层，其中第一与第二电容介电层周围的基底作为下电极。随后，在基底上形成一凸出电极，该电极覆盖沟槽与基底的交界处，并延伸覆盖于导电层上。接下去，将凸出电极与导电层电连接，作为电容器的上电极。由于本发明结构与制作工艺都很简单，所以不但可防止漏电问题还能节省制造成本。

主权项

1.一种沟槽式电容器的制造方法，包括：于一基底中形成一沟槽；于该沟槽表面形成一第一电容介电层；于该沟槽内形成一导电层；于该基底表面及该导电层上形成一第二电容介电层，其中该第一电容介电层与该第二电容介电层周围的该基底作为一下电极；于该基底上形成一凸出电极，该凸出电极位于该沟槽周缘的该基底上并覆盖该沟槽与该基底的交界处；以及将该凸出电极与该导电层电连接，其中该导电层以及该凸出电极作为一上电极，且该上电极与该基底通过该第一电容介电层与该第二电容介电层进行隔离。