| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及包括一个带有集成的PN二极管的沟槽－结－势垒－肖特基二极管的半导体装置(30)及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101091260A | 申请公布日期 | 2007.12.19 |
| 申请号 | CN200580037812.2 | 申请日期 | 2005.10.21 |
| 申请人 | 罗伯特·博世有限公司 | 发明人 | A·格拉赫;曲宁 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01);H01L21/329(2006.01);H01L29/861(2006.01);H01L29/866(2006.01) | 主分类号 | H01L29/872(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 侯鸣慧 |
| 主权项 | 1.半导体装置(30，40，50，60，70)，包括带有集成的PN二极管的沟槽-结-势垒-肖特基二极管。 | ||
| 地址 | 德国斯图加特 | ||