| 发明名称 | RF MEMS 开关的互联结构的实现方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种RF MEMS开关的互联结构的实现方法，属于射频微机电开关(RF MEMS Switch)的技术领域。该方法利用一次多晶硅的生长，制备RF MEMS开关的驱动、互联结构和接触部分，其中，驱动和接触部分为掺杂的多晶硅，驱动和接触部分之间的互联结构为非掺杂多晶硅。本发明利用非掺杂的多晶硅作为RF MEMS开关驱动结构和接触结构之间的互联结构，在实现机械互联的同时，能够有效达到电学绝缘的效果。其方法简单实用、不需要额外淀积绝缘薄膜，避免了绝缘薄膜应力引入的翘曲变形，并提高互联结构的机械强度和可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN101090169A | 申请公布日期 | 2007.12.19 |
| 申请号 | CN200610089304.5 | 申请日期 | 2006.06.16 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 李志宏;施文典 |
| 分类号 | H01P1/12(2006.01) | 主分类号 | H01P1/12(2006.01) |
| 代理机构 | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人 | 贾晓玲 |
| 主权项 | 1、一种RF MEMS开关的互联结构的实现方法，其特征在于：利用一次多晶硅的生长，制备RF MEMS开关的驱动、互联结构和接触部分，其中，驱动和接触部分为掺杂的多晶硅，驱动和接触部分之间的互联结构为非掺杂多晶硅。 | ||
| 地址 | 100871北京市海淀区颐和园路5号 | ||