| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供半导体装置及其制造方法，当例如用铜或铜合金作为形成配线层的导体膜进行多层配线化时，能够进一步提高这些配线的可靠性。具有埋设在槽沟(3a)中的导体膜(5)，是在其上面在与阻挡层金属膜(4)接触的部分，与第二层间绝缘膜(3)的上面比较处于更下方位置的状态中形成的构造。此外，在其制造之际，在用CMP进行研磨处理后，在非氮化性环境中进行等离子体处理，在第二层间绝缘膜(3)的上层部分和导体膜(5)的上层部分形成损伤层。而且，通过蚀刻除去该损伤层的一部分。 | ||
| 申请公布号 | CN100356562C | 申请公布日期 | 2007.12.19 |
| 申请号 | CN200410083479.6 | 申请日期 | 2004.09.30 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 成濑阳子;松原直辉;藤田和范 |
| 分类号 | H01L23/52(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L23/52(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，包括具有槽沟的绝缘膜、在所述槽沟的内壁面上形成的阻挡层金属膜、和通过该阻挡层金属膜埋设在所述槽沟中而形成的导体膜，其特征在于：所述导体膜形成为其上面至少在与所述阻挡层金属膜的接触部，位于比该阻挡层金属膜的上端更靠下方的位置，所述导体膜的上面端部为大致圆弧形状。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||