具有缩小间距的半导体元件及其形成方法

摘要

本发明是关于一种具有缩小间距的半导体元件及其形成方法，该具有缩小间距的半导体元件的形成方法，包括先提供基底。然后，在基底上形成材料层。接着，在材料层上形成光阻层。之后，使光阻层的顶面暴露在辐射中。继之，在光阻层上形成硅化层。此外，该方法更包括移除部份的硅化层，以暴露出光阻层。之后，移除光阻层。接着，以硅化层为罩幕，移除部份的材料层。然后，移除其它部份的硅化层。本发明使半导体元件的单元间距可以降低，因此元件密度可以提升，进而可以缩小集成电路的尺寸，且加快其速度，从而更加适于实用，而具有产业的广泛利用价值。

主权项

1、一种具有缩小间距的半导体元件的形成方法，其特征在于该方法包括以下步骤：提供一基底；在该基底上形成一材料层；在该材料层上形成一光阻层；使该光阻层的顶面暴露在一处理辐射中；进行一扩散制程，以在该光阻层上形成一保护层；移除部分的该保护层，以暴露出位于下方的部分的该光阻层；移除该光阻层；以及以该保护层为一罩幕，移除部分的该材料层。