| 发明名称 | 半导体激光器元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种具有更高成品率的半导体激光器元件的制造方法。具有覆层、中间层和盖层的半导体激光器元件如下制造。在层压步骤中，沿层压方向层压多个层压层。接着，在突出步骤中，形成覆层、盖层和中间层的前体，使得覆层和盖层的宽度方向的长度沿层压方向变短或均匀，而中间层的前体沿宽度方向从覆层和盖层突出。在去除步骤中，去除中间层前体的突出体。 | ||
| 申请公布号 | CN100356641C | 申请公布日期 | 2007.12.19 |
| 申请号 | CN200510083639.1 | 申请日期 | 2005.07.13 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 川户伸一 |
| 分类号 | H01S5/22(2006.01) | 主分类号 | H01S5/22(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种半导体激光器元件(30，30A)的制造方法，所述半导体激光器元件具有脊部(43)，所述脊部包括覆层(44)、盖层(46)和其间的中间层(45)，所述方法包括：层压步骤(a1)，在半导体衬底(36)上沿层压方向层压多个层压层；突出步骤(a2，a3，b2，b3)，在所述层压步骤(a1)之后，形成覆层(44)、盖层(46)和中间层(45)的前体(60)，使得所述覆层(44)和所述盖层(46)的宽度方向的长度随着在所述层压方向上的推进而变短或均匀，所述宽度方向是垂直于层压方向和脊部延伸方向的方向，而所述中间层(45)的前体(60)沿宽度方向从所述覆层(44)和所述盖层(46)突出；以及去除步骤(a4，b4)，去除所述中间层(45)的前体(60)的突出体(65，65a，65b)以形成化合物半导体多层结构(31)。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||