| 发明名称 | 保护膜形成方法以及保护膜形成装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种在蒸镀室(201)内在前面玻璃基板(11)上形成氧化镁保护膜的保护膜形成装置，其包括：向蒸镀室(201)导入氧气的氧气排出口(222)；从前面玻璃基板(11)输送方向的下游向蒸镀室(201)导入水蒸气的水蒸气排出口(210)；测定蒸镀室(201)内的氢离子强度与氧离子强度的质量分析器(224)；以及，根据质量分析器(224)测定到的离子强度而控制水蒸气的导入流量的质量流量控制器(215)和控制氧气的导入流量的质量流量控制器(221)。 | ||
| 申请公布号 | CN101090991A | 申请公布日期 | 2007.12.19 |
| 申请号 | CN200680001502.X | 申请日期 | 2006.09.11 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 上谷一夫;沟上要;大江良尚;盐川晃;加道博行 |
| 分类号 | C23C14/08(2006.01);H01J9/02(2006.01);H01J11/02(2006.01) | 主分类号 | C23C14/08(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 李峥;于静 |
| 主权项 | 1.一种保护膜形成方法，它是在成膜室内输送基板、同时形成氧化镁保护膜的保护膜形成方法，其特征在于，包括：向所述成膜室导入氧气，同时从所述基板输送方向的下游向所述成膜室导入水蒸气；测定所述成膜室的氢离子强度和氧离子强度；根据所述氢离子强度和所述氧离子强度的比率来控制所述水蒸气的导入流量和所述氧气的导入流量。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||