| 发明名称 | 一种高饱和磁通密度低损耗MnZn功率铁氧体及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种高饱和磁通密度低损耗MnZn功率铁氧体及其制备方法；本发明通过精确控制材料的成分和制备方法，研制出功耗谷点在90℃，在100kHz，200mT的条件下功耗小于等于260mW/cm<SUP>3</SUP>，在1000A/m，50Hz的条件下25℃的饱和磁通密度大于等于530mT，在1000A/m，50Hz的条件下100℃的饱和磁通密度大于等于420mT的MnZn功率铁氧体。 | ||
| 申请公布号 | CN101090017A | 申请公布日期 | 2007.12.19 |
| 申请号 | CN200610051943.2 | 申请日期 | 2006.06.14 |
| 申请人 | 横店集团东磁有限公司 | 发明人 | 吕东华;颜冲;包大新;何时金 |
| 分类号 | H01F1/10(2006.01);H01F1/34(2006.01) | 主分类号 | H01F1/10(2006.01) |
| 代理机构 | 杭州杭诚专利事务所有限公司 | 代理人 | 尉伟敏 |
| 主权项 | 1.一种高饱和磁通密度低损耗MnZn功率铁氧体，该铁氧体包括如下按摩尔百分比的成分：Fe2O3： 51～53mol％；MnO： 34～43mol％；ZnO： 6～13mol％。 | ||
| 地址 | 322118浙江省东阳县横店工业区东磁有限公司 | ||