发明名称 |
结晶掩模、非晶硅结晶方法及利用其制造阵列基板的方法 |
摘要 |
一种非晶硅的结晶方法,该方法用来制造具有薄膜晶体管、像素电极和对准键的阵列基板。该方法包括:在基板上形成非晶硅层;在所述非晶硅层中形成对准键;预制包括图形部分和对准键图形的掩模;将该掩模设置在所述非晶硅层上方,从而对准键图形与对准键对齐;和通过掩模将激光束的第一次照射作用到非晶硅层中,从而在对应于所述掩模图形部分的非晶硅层中限定第一多晶硅区域,其中各所述图形部分的尺寸考虑到对准余量大于该薄膜晶体管的尺寸。 |
申请公布号 |
CN100356506C |
申请公布日期 |
2007.12.19 |
申请号 |
CN200310116029.8 |
申请日期 |
2003.12.29 |
申请人 |
LG.菲利浦LCD株式会社 |
发明人 |
金营株 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01);G02F1/136(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01) |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 |
代理人 |
徐金国;陈红 |
主权项 |
1.一种非晶硅的结晶方法,用于制造具有薄膜晶体管、像素电极和对准键的阵列基板,其包括:在基板上方形成非晶硅层;在所述非晶硅层中形成对准键;预制包括图形部分和对准键图形的掩模;将所述掩模设置在所述基板上方,从而对准键图形与对准键对齐;和通过所述掩模将激光束的第一次照射作用到非晶硅层中,从而在对应于所述掩模的图形部分的非晶硅层中限定第一多晶硅区域,其中各所述图形部分的尺寸考虑到对准余量大于该薄膜晶体管的尺寸。 |
地址 |
韩国首尔 |