电子发射元件,电子源以及图像显示装置的制造方法

摘要

本发明提供能够简化电子发射元件的制造工序，而且还能够改善电子发射特性的电子发射元件的制造方法，电子源的制造方法以及图像形成装置的制造方法，在把高分子膜碳化，使利用为电子发射部分的表面传导型的电子发射元件的制造工序中的高分子膜低阻化的工序中，在上述高分子膜上，在把每单位面积，每单位时间供给的能量束的能量强度记为W[W/m²]时，满足W≥2×T×(ρsub·Csub·λsub/τ)^1/2(T：把高分子膜在1×10^-4Pa以上的真空中加热保持1小时，使其成为0.1Ω·cm以下的电阻率的温度[℃]，Csub：上述基体的比热[J/kg·K]，ρsub：上述基体的比重[kg/m³]，λsub：上述基体的热传导率[W/m·K]，1×10^-9sec≤τ≤10sec)。

主权项

1.一种电子发射元件的制造方法，具有通过向高分子膜上照射光或粒子束从而对上述高分子膜进行低阻化的工序，其中上述高分子膜配置成连接配置于基体上的一对电极；以及通过使电流流过对上述高分子膜进行低阻化得到的膜从而在该膜上形成间隙的工序，其特征在于：向上述高分子膜照射光或粒子束的时间τ为1×10-9s≤τ≤10s，在上述的对上述高分子膜进行低阻化的工序中，通过光或粒子束向上述高分子膜所赋予的能量强度记为W时，W满足：W≥2×T×(ρsub·Csub·λsub/τ)1/2其中，T：在1×10-4Pa以上的真空度中把上述高分子膜加热保持1小时后，该加热了的高分子膜示出0.1Ω·cm以下的电阻率所需的加热温度，其单位为℃；Csub：上述基体的比热，其单位为J/(kg·K)；ρsub：上述基体的比重，其单位为kg/m3；λsub：上述基体的热传导率，其单位为W/(m·K)；上述能量强度W的单位为W/m2。