| 发明名称 | 二氧化铪层用前体及利用该前体生成二氧化铪膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了二氧化铪前体和利用该前体生成二氧化铪层的方法。二氧化铪层前体含有与HfCl<SUB>4</SUB>键合的氮化合物。 | ||
| 申请公布号 | CN100356519C | 申请公布日期 | 2007.12.19 |
| 申请号 | CN03153085.0 | 申请日期 | 2003.08.12 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李正贤;闵约赛;曹永真 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01);H01L21/283(2006.01);H01L27/10(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/31(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张平元;赵仁临 |
| 主权项 | 1.二氧化铪层用前体，其中该前体包含与HfCl4键合的氮化合物，其中氮化合物包括具有如下分子式的腈类：NCR4其中R4是取代或非取代C1-C10烷基。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||