一种相变微、纳电子存储器器件及制作方法

摘要

本发明设计了一种新型相变微、纳电子存储器器件及其制备方法。本发明的设计原理是基于尖端效应，即施加电压后，图形尖端处的电阻或电流会很大，是器件单元中相变层发生相变的触发点。通过采用薄膜制备工艺在衬底上制备出器件的各层薄膜，然后利用微细加工工艺制备出含有尖端的器件单元，器件单元中的发生相变区域的尺寸大约在2到200nm范围内，多个器件单元重复排列就构成了微、纳电子存储器器件。这种微、纳电子存储器器件结构简单、制备方便、能与现在的半导体工艺很好地兼容，并且还可以很容易实现器件单元的小尺寸化，有利于提高集成电路的集成度，实现存储器向纳电子器件的方向转变。

主权项

1、一种相变微、纳电子存储器器件，它由微、纳电子存储器器件单元重复排列，且每个器件单元与衬底中的互补金属一氧化物一半导体结构和寻址选择电路集成构成的，其特征在于所述的相变微、纳电子存储器器件单元是由覆盖在衬底上的第一层绝热层、覆盖在第一层绝热层上的相变层和过渡层、覆盖在相变层上的第二绝热层、连接衬底与相变层的下电极以及覆盖在所述的过渡层上的上电极、上电极与相变层相连接所构成的；在相变层上两个图形相互嵌入，分割出相变层的小图形，每个小图形至少含有一个尖端，尖端与上、下电极相连接；在第二绝热层的凹形槽内沉积所述的过渡层。