| 发明名称 | 提高半导体芯片良品率的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了提高半导体芯片良品率的方法，包括下列步骤：在晶圆表面涂覆一层负光阻；将晶圆识别码区域与光罩对准；用少于非晶圆识别码区域的曝光能量，在晶圆识别码区域进行第一次曝光；相对第一次曝光位置进行偏移，用少于非晶圆识别码区域的曝光能量，在晶圆识别码区域进行第二次曝光；进行显影处理，在晶圆识别码区域与非晶圆识别码区域相邻接边缘将曝光的部分留下，未曝光的部分显影，制作完整的焊接凸点。所述的用少于非晶圆识别码区域的曝光能量在晶圆识别码区域进行双重曝光，避免了与晶圆识别码区域相接的非晶圆识别码区域中的几块芯片边缘产生不必要的曝光而形成负光阻残余，使焊接凸点位不会消失，从而提高了芯片的良品率。 | ||
| 申请公布号 | CN101089730A | 申请公布日期 | 2007.12.19 |
| 申请号 | CN200610027582.8 | 申请日期 | 2006.06.12 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 王津洲;李德君;靳永刚 |
| 分类号 | G03F7/00(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | G03F7/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种提高半导体芯片良品率的方法，包括下列步骤：在晶圆表面涂覆一层负光阻；将晶圆识别码区域与光罩对准；用少于非晶圆识别码区域的曝光能量，在晶圆识别码区域进行第一次曝光；相对第一次曝光位置进行偏移，用少于非晶圆识别码区域的曝光能量，在晶圆识别码区域进行第二次曝光；进行显影处理，在晶圆识别码区域与非晶圆识别码区域相邻接边缘将曝光的部分留下，未曝光的部分显影，制作完整的焊接凸点。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||