用于制造薄膜半导体器件的方法

摘要

一种用于制造薄膜半导体器件的方法。在该方法中，在激光照射步骤之前，在玻璃的基层上淀积的非单晶半导体薄膜层被处理为岛状薄膜层。在该岛状薄膜层上形成绝缘膜层和栅极之后，通过使用栅极作为照射掩膜，执行对非单晶半导体薄膜层的激光束照射，从而被该栅极所遮蔽的岛状薄膜层的区域被结晶，并且不被该栅极所遮蔽的两侧区域被退火。接着，在被退火区域中形成一个源极和漏极。所述激光束照射通过对准半导体的岛状薄膜层进行点照射而执行。通过上述步骤，与由常规方法所制造的器件相比，可以获得对每个电子电路单位具有少量晶体和较少晶体粒度变化的薄膜半导体器件。另外，可以使得在该器件中的结晶层和绝缘层之间的边界表面平整。

主权项

1.一种用于制造薄膜半导体器件的方法，包括如下步骤：形成非单晶半导体层，通过用能量束的照射对非单晶半导体进行结晶或再结晶而形成用于薄膜半导体器件的基片，以及在用于薄膜半导体器件的基片上形成具有栅极、源极和漏极的电路，该方法的特征在于包括如下步骤：(a)在一个绝缘材料的基层上形成非单晶半导体的多个岛状薄膜层，(b)形成覆盖该岛状薄膜层的绝缘膜层，(c)在对应于该岛状薄膜层的上部位置的绝缘膜层上形成栅极，栅极的形成使得在栅极顶部形成可以减少激光束的反射的表面区域，(d)通过使用该栅极作为照射掩膜用来自上方的激光束照射非单晶半导体的岛状薄膜层，从而通过使得被该栅极所遮蔽的岛状薄膜层的中央部分结晶而形成一个沟道区，并且同时通过对不被该栅极所遮蔽的岛状薄膜层的两侧部分退火而形成源区和漏区，所述激光束照射通过对准半导体的岛状薄膜层进行点照射而执行，以及(e)在该绝缘层中形成接触孔之后，在该源区和漏区上形成源极和漏极。