在高纯碳化硅晶体中产生半绝缘电阻率的方法

摘要

本发明公开了一种方法，用于在没有相关数量深层级捕获元素的情况制造高品质半绝缘碳化硅晶体。本发明包括如下步骤：将具有与深层级状态相关的第一点缺陷浓度的碳化硅晶体加热到一定的温度，该温度高于碳化硅从源气体进行CVD生长所需的温度，但低于碳化硅在环境条件下的升华温度，借此在热力学上增加晶体中点缺陷和由此产生的状态的浓度，然后以足够快的速度将加热的晶体冷却到接近室温，使冷却晶体中点缺陷的浓度保持大于第一浓度。

主权项

1.一种用于在不存在相关数量的深层级捕获元素的情况下制造高品质半绝缘碳化硅晶体的方法，该方法包括：在大气压下将具有第一浓度点缺陷相关深层级状态的碳化硅晶体加热到2000℃-2400℃的温度，由此在热力学上增加晶体中的点缺陷和由此产生的状态的浓度；和以每分钟30℃-150℃速度将加热的晶体冷却到1200℃或者更低，以保持冷却的晶体内的点缺陷的浓度，该浓度保持大于第一浓度。