| 发明名称 | 应变finFET及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种半导体结构及其制造方法。此制造方法包括在衬底中形成浅沟槽隔离(浅沟槽隔离)以及在衬底上提供第一材料和第二材料。第一材料和第二材料分别在pFET区域和nFET区域处形成第一小岛和第二小岛。在形成finFET之前，受拉伸的硬掩模被形成在第一和第二小岛层上。在具有硬掩模的finFET的侧壁上生长硅外延层，处于拉伸状态的帽层于是防止了nFET鳍的横向翘曲。 | ||
| 申请公布号 | CN100356525C | 申请公布日期 | 2007.12.19 |
| 申请号 | CN200410095007.2 | 申请日期 | 2004.11.18 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 杜雷斯蒂·奇达姆巴拉奥;奥马尔·H·多库马西;奥列格·G·格鲁钦科夫 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01L21/335(2006.01);H01L21/76(2006.01);H01L21/8234(2006.01);H01L29/772(2006.01);H01L27/092(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种用于制造一种半导体结构的方法，它包含下列步骤：形成具有第一晶格常数的材料的第一小岛；形成具有第二晶格常数的材料的第二小岛；在第一小岛和第二小岛上提供掩模，此掩模被用来形成受拉伸的帽层；以及由第一小岛和第二小岛形成至少一个第一finFET和第二finFET，其中，受拉伸的帽层防止了第一和第二finFET之一发生翘曲。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||