| 发明名称 | 纵向量子点－浮栅尖端结构、制备方法和存储器 | ||
| 摘要 | 纵向量子点-浮栅尖端结构、制备方法和存储器属于存储器设计技术领域。该结构特征是，在衬底上方还有一层SiGe量子点，多晶硅浮栅的下部为尖端结构。多晶硅浮栅下部的尖端与SiGe量子点的顶端是自对准的。该结构的制备方法包含：在Si衬底上制备SiGe量子点；在SiGe量子点上外延生长硅薄膜；干氧氧化，在量子点正上方形成与量子点纵向自对准的凹坑；在氧化层上淀积多晶硅浮栅，形成与SiGe量子点自对准的浮栅尖端结构。本发明还提出了采用了该结构的存储器。在施加相同电压时，该机构能提高隧穿电流密度。应用于半导体非易失存储器，可在不减小氧化层厚度时降低工作电压，从而降低隧穿氧化层的平均电场，提高了存储器的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN100356585C | 申请公布日期 | 2007.12.19 |
| 申请号 | CN200510012184.4 | 申请日期 | 2005.07.15 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 邓宁;潘立阳;刘志弘;陈培毅;魏榕山 |
| 分类号 | H01L29/788(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L29/788(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1、纵向量子点-浮栅尖端结构，含有：P-Si衬底；隧穿氧化层，位于P-Si衬底上方；多晶硅浮栅，位于隧穿氧化层上方；其特征在于，在所述P-Si衬底上方还有一层SiGe量子点，所述多晶硅浮栅的下部为尖端结构。 | ||
| 地址 | 100084北京市北京100084－82信箱 | ||