用于获得具有低密度孔的薄层的方法

摘要

本发明提出了一种用于确定将被转移到支撑衬底上的施主衬底部分的厚度的方法，所述部分在之后将受到包括至少一种操作的所选精整序列，该方法特征在于确定将被转移的最小厚度，以使所述转移部分：在精整序列的每个操作之后，呈现出小于所述最大密度的致命孔密度，以及一旦完成了整个精整序列就达到了所述的选择厚度。

主权项

1.一种用于制造包含衬底上的半导体材料薄层的最终结构的方法，包括以下步骤：·在施主衬底的厚度中生成脆变区，·使施主衬底与支撑衬底紧密接触，·在脆变区的水平面处分离施主衬底以将施主衬底的一部分转移到支撑衬底上，由此形成中间结构，该方法特征在于，其进一步包括如下步骤：·选择最终结构的薄层将要达到的厚度，·选择在最终结构的薄层内将要观察到的最大致命孔密度，·选择精整序列，所述精整序列包括对分离之后获得的中间结构进行的至少一种操作；·确定将被转移到支撑衬底上的施主衬底部分的最小厚度，以使所述部分：-在精整序列的每个操作之后，呈现出小于所述最大密度的致命孔密度，-以及一旦实现了精整序列就达到了所述的所选厚度。