| 发明名称 | 钽氮化物膜的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明通过在真空室内导入含有在钽元素(Ta)的周围配位了N＝(R，R′)(R及R′表示碳原子数1－6的烷基，各自可以是相同的基团，也可以是不同的基团)的配合物的原料气体，使其在基板上吸附后，导入卤素气体，生成TaN<SUB>x</SUB>(Hal)<SUB>y</SUB>(R，R′)<SUB>z</SUB>化合物(式中，Hal表示卤素原子)，然后导入活性化的反应气体，将Ta上键合的N、与N结合的Hal、与N结合的R(R′)基切断除去，形成富含钽的钽氮化物膜。由此，可提供C、N含量低、Ta/N组成比高，作为确保和Cu膜的密合性的阻挡膜有用的低电阻的钽氮化物膜。另外，对得到的膜中通过溅射打入钽粒子，使其进一步富含钽。 | ||
| 申请公布号 | CN101091002A | 申请公布日期 | 2007.12.19 |
| 申请号 | CN200680001460.X | 申请日期 | 2006.03.03 |
| 申请人 | 株式会社爱发科 | 发明人 | 五户成史;丰田聪;牛川治宪;近藤智保;中村久三 |
| 分类号 | C23C16/34(2006.01);H01L21/285(2006.01);H01L21/3205(2006.01);H01L23/52(2006.01) | 主分类号 | C23C16/34(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王健 |
| 主权项 | 1.钽氮化物膜的形成方法，其特征在于，在真空室内，导入含有在钽元素(Ta)的周围配位N＝(R，R′)(R及R′表示碳原子数1-6的烷基，各自可以是相同的基团，也可以是不同的基团)的配合物的原料气体以及卤素气体，在基板上形成含有TaNx(Hal)y(R，R′)z化合物(式中，Hal表示卤素原子)的一个原子层或数个原子层的表面吸附膜，然后导入由含H原子的气体生成的自由基，将与上述生成化合物中的Ta键合的N切断除去，并且，将残留着的与N键合的R(R′)基切断除去，形成富含钽的钽氮化物膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||